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公开(公告)号：CN116841118A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310713382.1
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相反侧的表面及其附近的区域具有氧的含量增加的组成梯度部的单层膜，所述相移膜由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，对所述相移膜进行X射线光电子能谱分析，获得所述相移膜中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述相移膜中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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公开(公告)号：CN111758071B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201980014769.X
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383167B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880014226.3
申请日：2018-01-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
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公开(公告)号：CN112740105A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061305.4
申请日：2019-09-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备蚀刻停止膜的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于在将图案形成用薄膜进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。
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公开(公告)号：CN111758071A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014769.X
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s时，用含氮层中的最大峰PSi_f除以透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
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公开(公告)号：CN111742259A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013951.3
申请日：2019-02-13
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/3065 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
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公开(公告)号：CN1596385A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823609.2
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，该半色调型相移掩膜坯料用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，在透明基板上具有透过曝光光的透光部和、在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部、和用于形成所述相移部的相移膜，其中，该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度，相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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