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公开(公告)号：CN115145110A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210312054.6
申请日：2022-03-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够缩短对图案形成用薄膜进行微细图案(图案形成用薄膜图案)的湿法蚀刻时的蚀刻时间、具有高耐光性及耐化学药品性、并且能够形成具有接近垂直的边缘的截面形状及良好的LER的微细图案的显示装置制造用光掩模坯料。所述显示装置制造用光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，所述图案形成用薄膜由含有钛(Ti)、硅(Si)及氮(N)的材料形成，所述图案形成用薄膜具有柱状结构，所述图案形成用薄膜中所含的氧的含有率为7原子％以下。
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公开(公告)号：CN114545726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111362078.4
申请日：2021-11-17
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
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公开(公告)号：CN110320739A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN110196530A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910125512.3
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种能够以可充分发挥相移效果的截面形状对相移膜进行构图的透过率高的相移掩模坯料。一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜，其特征在于，所述相移掩模坯料是以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，从所述界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。
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公开(公告)号：CN101286007B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810090895.7
申请日：2008-04-09
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供一种带有抗蚀膜的掩膜坯料的制造方法，其包括抗蚀剂涂敷，在该抗蚀剂涂敷工序中，从具有向一方向延伸的抗蚀液供给口的涂敷喷嘴喷出抗蚀液，同时沿与所述一方向交差的方向使所述涂敷喷嘴及基板的被涂敷面相对移动，在所述被涂敷面上涂敷所述抗蚀液。在本制造方法中，尤其是，涂敷后的抗蚀剂的干燥从相对于抗蚀剂的涂敷膜表面平行的方向供给清洁气体而进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113391515B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110243881.X
申请日：2021-03-05
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN119126476A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346675.1
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN114624955A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210185936.0
申请日：2022-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供能够抑制在将图案形成用的薄膜或具有转印图案的薄膜剥离之后透光性基板的主表面的形状劣化、且能够有助于再循环时的制造成品率的提高的掩模坯料。该掩模坯料具备透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有金属、硅及氮，薄膜的外周部的膜厚小于薄膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的上述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于薄膜的除外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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公开(公告)号：CN113406855A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110265084.1
申请日：2021-03-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。
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公开(公告)号：CN107861333A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710794878.0
申请日：2017-09-06
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供能够使掩模图案截面形状的垂直化的光掩模坯料及其制造方法。本发明还提供使用其的光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。本发明的光掩模坯料具有透明基板(1)、遮光层(2)和减反射层(3)，遮光层(2)由含有铬和氮的铬化合物形成，减反射层(3)由含有铬、氮和氧的铬化合物形成，减反射层(3)中含有的铬的含量少于遮光层(2)中含有的铬的含量，减反射层(3)是叠层了多层的叠层膜，减反射层(3)的表面侧的上层部(32)所含有的氧含量多于减反射层(3)的遮光层侧的下层部(31)所含有的氧含量，在上层部(32)的表面侧具有实质上不含碳的区域，在该区域，氧朝向最表面连续地增加，且氧相对于氮的比例(O/N)的最大值为5以上。
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