公开(公告)号：CN106206838B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610369425.9

申请日：2016-05-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 许美姬 ,  梁周弘 ,  郑寅道 ,  李恩珠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上方形成隧道层；在所述隧道层上方形成半导体层；在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域；以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤：在所述半导体层上方形成掩模层；利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口；以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。

公开(公告)号：CN106206838A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610369425.9

申请日：2016-05-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 许美姬 ,  梁周弘 ,  郑寅道 ,  李恩珠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基板的一个表面上方形成隧道层；在所述隧道层上方形成半导体层；在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域；以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤：在所述半导体层上方形成掩模层；利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口；以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。

公开(公告)号：CN104037243B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201410075991.X

申请日：2014-03-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁斗焕 ,  梁周弘 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基板；导电区域，其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型；钝化膜，其形成在所述半导体基板上，以覆盖所述导电区域；以及电极，其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括：第一层，其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅；第二层，其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物；以及第三层，其形成在所述第二层上，并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。

公开(公告)号：CN102903768B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210262809.2

申请日：2012-07-26

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁周弘 ,  金真阿 ,  南正范 ,  梁斗焕 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的衬底；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的并且与所述衬底一起地形成p-n结的发射极区；位于所述发射极区上的抗反射层；电连接到所述发射极区的前电极部；和电连接到所述衬底的背电极部。所述衬底包括由单晶硅形成的第一区域和由多晶硅形成的第二区域。位于第一区域中的抗反射层的厚度小于位于第二区域中的抗反射层的厚度。