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公开(公告)号：CN104037230B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201410080636.1
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。
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公开(公告)号：CN104724660A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370849.8
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: B81B3/00
CPC classification number: H01L29/0676 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82B1/002 , B82B3/0019 , B82Y30/00 , H01L49/006 , H01L2251/5369 , Y10T428/25 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938 , Y10T428/31971 , B22F2202/01 , B22F2202/11
Abstract: 本发明提供一种可挠性纳米结构、其制造方法、及利用此可挠性纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一可挠性基板；多个连接分子(linker)，形成于可挠性基板上；以及由与连接分子键结的多个金属离子所形成的至少一个金属纳米粒子。于此纳米结构中，金属离子可具有约0.5～3.0nm的一平均粒径。
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公开(公告)号：CN104037230A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410080636.1
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0091 , H01L51/0094 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。
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公开(公告)号：CN104037209A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410080333.X
申请日：2014-03-06
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: H01L29/76 , H01L21/334 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0001 , H01L51/0012 , H01L51/0014 , H01L51/0558
Abstract: 本发明关于一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中在该沟道区域中，多个金属纳米颗粒具有均匀图案排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119315217A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410927635.X
申请日：2024-07-11
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: H01M50/457 , H01M50/411 , H01M50/489 , H01M10/42 , H01M50/403 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种混合隔膜及包括该混合隔膜的电化学器件。更具体地，本发明可以提供一种具有提高的阻燃性和安全性的电化学器件，并且涉及一种容易储存和运输的混合隔膜及包括该混合隔膜的电化学器件。更具体地，本发明涉及一种新概念混合隔膜，所述混合隔膜包括在常温下以固态形成的功能涂层，为了制造电池，在使电极与所述混合隔膜彼此面对并加热时，涂布在所述隔膜的两面上的固态的功能涂层熔融并混合以满足特定的含量比条件，从而可以相变为液态或凝胶态。
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公开(公告)号：CN104733467B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201410806527.3
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/11524
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：用于在衬底上面进行电荷的充电和放电的浮栅，其中所述浮栅包含：在所述衬底上面形成并包括被结合到金属离子的连接基团的连接层；以及在所述连接层上面由所述金属离子形成的金属纳米粒子。
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公开(公告)号：CN104733613A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370876.5
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: B81C1/00373 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/18 , H01L29/66439
Abstract: 本发明提供一种包括介电粒子支撑体(dielectric particle supporter)的纳米结构、其制造方法、及其应用装置。纳米结构的制造方法包括：形成多个介电粒子支撑体于一基板之上，介电粒子支撑体上包括多个连接分子(linkers)；形成多个金属离子至连接分子；以及形成一或多个金属纳米粒子于连接分子之上。
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公开(公告)号：CN104724666A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370987.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: H01B3/18 , B82Y30/00 , C07F1/005 , C07F7/10 , Y10T428/256 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及利用此纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一基板；具有一表面的一介电粒子支撑体(dielectric particle supporter)，其中介电粒子支撑体形成于基板之上，且一连接分子(linker)与介电粒子支撑体的表面键结；以及一或多个金属纳米粒子，与连接分子键结。
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公开(公告)号：CN119029488A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410603325.2
申请日：2024-05-15
Applicant: SK新技术株式会社 , 爱思开高新信息电子材料株式会社
IPC: H01M50/449 , H01M50/451 , H01M50/457 , H01M50/403 , H01M50/443 , H01M50/46 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/42
Abstract: 本公开涉及隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。具体来讲，涉及包含中空型导电性颗粒的隔膜、其制造方法及包括其的二次电池。根据本公开的一个方面的隔膜包括：多孔性基材；以及位于所述多孔性基材的一面或两面且包含无机颗粒及中空型(Hollow)导电性颗粒的至少一个涂层。本公开的隔膜可以通过防止锂离子的电隔离及死(Dead)锂离子的积累抑制锂枝晶的形成及生长。从而可以确保电池的安全性。
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