公开(公告)号：CN1914135A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200480041396.9

申请日：2004-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塚田岳夫 ,  东智久 ,  广濑正和 ,  冈均

IPC: C04B35/475

Abstract: 本发明提供压电陶瓷，该压电陶瓷具有陶瓷颗粒，该陶瓷颗粒含有铋层状化合物作为主成分，含有Mn的氧化物作为副成分，其中所述铋层状化合物至少含有Sr、Ln(Ln为镧系元素)、Bi、Ti和O，含有MIIBi4Ti4O15型晶体(MII为由Sr和Ln构成的元素)，该陶瓷颗粒通过コ一ド长度测定法得到的平均粒径为0.8－4.7μm；还提供压电元件，该压电元件具有上述压电陶瓷作为压电体。还提供压电陶瓷，该压电陶瓷在厚度纵向振动的三次谐波模式、特别是在比较高的频带(例如16－65MHz)下的厚度纵向振动的三次谐波模式中具有大的Qmax，又提供具有上述压电陶瓷作为压电体的谐振器等压电元件。

公开(公告)号：CN101148350A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710148946.2

申请日：2007-09-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 寺西惠介 ,  广濑正和 ,  东智久

IPC: C04B35/01 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种耐热性极高的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物具有用组成式Pba[(MnbNbc)dTieZrf]O3表示的主成分，在该组成式中，满足0.98≤a≤1.01、0.340≤b≤0.384、0.616≤c≤0.660、0.08≤d≤0.12、0.500≤e≤0.540、0.37≤f≤0.41、bd+cd+e+f＝1，并且含有以Al2O3换算计为1～10wt％的Al作为副成分。优选b和c为0.345≤b≤0.375、0.625≤c≤0.655，优选含有以Al2O3换算计为2～6wt％的Al作为副成分。

公开(公告)号：CN1914136A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003680.1

申请日：2005-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广濑正和 ,  东智久 ,  坂本典正

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供电特性Qmax、耐热性、以及共振频率的温度特性都优良的压电陶瓷组合物。该压电陶瓷组合物的特征在于：包含以具有钙钛矿型结构的钛酸锆酸铅为主成分的相和含Al相。该压电陶瓷组合物优选主成分含有Mn和Nb，进而优选主成分是用Pbα[(Mn1/3Nb2/3)xTiyZrz]O3(其中，0.97≤α≤1.01、0.04≤x≤0.16、0.48≤y≤0.58、0.32≤z≤0.41)的组成式表示。

公开(公告)号：CN1845454A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610074177.1

申请日：2006-04-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  广濑正和 ,  铃木辉 ,  谷胁宏治

IPC: H03H9/15 ,  C04B35/46

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/1014 ,  H03H9/1035 ,  H03H9/177

Abstract: 本发明提供一种谐振器，其具备抗自由落体的冲击性优良的压电陶瓷谐振子。该谐振器包括形成有振动电极的压电陶瓷谐振子(2)和支持压电陶瓷谐振子(2)的基板(3)，所述压电陶瓷谐振子(2)满足U≥0.88×H+20.28(其中，U＝每单位体积的最大弹性能(kJ/m3)，H：落体高度(m)，H＞1)的条件。基板(3)具备端子电极(31)、(32)，压电陶瓷谐振子(2)可以适用于具有下述结构的谐振器(1)，即该谐振器(1)通过导电定子(4)与振动电极导通，同时使其两端支持在基板(3)上。

公开(公告)号：CN1768016A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008671.7

申请日：2004-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塚田岳夫 ,  东智久 ,  广濑正和

IPC: C04B35/46 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/63 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的目的是提供一种不含铅、居里点高、而且具有优良的压电特性和特别大的Qmax值的压电陶瓷。该压电陶瓷的特征是，其中含有一种以具有(MII1－xLnx)Bi4Ti4O15型结晶(MII是选自Sr、Ba和Ca中的元素，Ln是选自镧系的元素，x处于0＜x≤0.5的范围内)的铋层状化合物作为主成分，以选自Mn氧化物和Co氧化物中的至少1种及镧系元素作为副成分，而且作为副成分的镧系元素的含量在换算为氧化物时处于0.02～0.12重量％的范围内。

公开(公告)号：CN115623854A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210792901.3

申请日：2022-07-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  太田佳生 ,  北崎将士 ,  井尻博之 ,  稻叶胜也 ,  住吉三树夫

IPC: H10N30/87 ,  H10N30/20

Abstract: 压电元件(1)具备：压电素体(2)，其具有相互相对的第一主面(4A)和第二主面(4B)、及连结第一主面(4A)和第二主面(4B)的周面(5)，并且在俯视时呈圆形；以及电极(3)，其设置有第一主面(4A)和第二主面(4B)中的至少一个，电极(3)的外缘部(3a)的厚度朝向该外缘部(3a)的边缘(3aa)逐渐变小。

公开(公告)号：CN107235724B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710195606.9

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  石井健太

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成，所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

公开(公告)号：CN107235723A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710190349.X

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  佐野达二 ,  古川正仁 ,  石井健太

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，其特征在于，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是，必须有Nb(铌))，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30％以上。

公开(公告)号：CN101412626A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810170272.0

申请日：2008-10-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾根英明 ,  广瀬正和 ,  东智久 ,  坂本英也

IPC: C04B35/472 ,  H03B5/32 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，当该压电陶瓷组合物被用于利用厚度纵向振动的三次高次谐波模式的振荡器时，能够得到充分高的(Qmax)及振荡频率(F0)的良好的温度特性。压电陶瓷组合物，含有复合氧化物，该复合氧化物具有钙钛矿结构，复合氧化物具有以下述化学式(1)表示的组成，(PbαLnβ)(Ti1－(x+y+z)ZrxMnyNbz)O3…(1)，其中，Ln表示从由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的群中选出的至少1种，并且，复合氧化物满足0.91≤α≤1.00、0＜β≤0.08、0.125≤x≤0.300、0.020≤y≤0.050及0.040≤z≤0.070。

公开(公告)号：CN101386533A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810173731.0

申请日：2008-09-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 寺西惠介 ,  东智久 ,  广濑正和

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/257

Abstract: 本发明提供一种能够提高韧性的压电陶瓷的制造方法。所述压电陶瓷的制造方法包括：对下述压电陶瓷实施极化处理的工序，该所述压电陶瓷具有用组成式Pba[(MnbNbc)dTieZrf]O3表示的主成分，在上述组成式中，满足0.98≤a≤1.01、0.340≤b≤0.384、0.616≤c≤0.660、0.08≤d≤0.12、0.500≤e≤0.540、0.37≤f≤0.41、bd+cd+e+f＝1，并且，含有以Al2O3换算为1～10wt％的Al作为副成分，所述压电陶瓷的制造方法包括：对上述压电陶瓷进行极化处理的工序；以及对进行实施过极化处理后的压电陶瓷实施在200～300℃的范围内进行保持10～60分钟的热处理的工序。通过该热处理，能够提高韧性。