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发明公开
压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜及压电薄膜元件无效

公开(公告)号：CN107235723A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710190349.X

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 , 七尾胜 , 佐野达二 , 古川正仁 , 石井健太

IPC: C04B35/495 , C04B35/48 , C23C14/34 , H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，其特征在于，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是，必须有Nb(铌))，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30％以上。

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