公开(公告)号：CN103172374A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210574865.X

申请日：2012-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾根英明 ,  东智久 ,  古川正仁 ,  上田智子

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/187 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3244 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明要解决的技术问题是：烧结时，铌酸锂钠钾容易发生异常晶粒生长，会产生晶粒尺寸为数十微米（μm）以上的巨大晶粒。本发明提供一种压电陶瓷及使用其的压电元件，该压电陶瓷以由不含铅（Pb）作为构成元素的复合氧化物构成的组合物为主要成分，因此环保性能优良，并且其相对介电常数、机电耦合系数、压电常数等的压电特性优异。该压电陶瓷以由通式(1)所表示的组合物为主要成分，(K1-x-y-w-vNaxLiyBawSrv)m(Nb1-z-uTaz-Zru)O3…(1)（其中，式中的x、y、z、w、v、u以及m分别为0.4

公开(公告)号：CN100374394C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200480008671.7

申请日：2004-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塚田岳夫 ,  东智久 ,  广濑正和

IPC: C04B35/46 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/63 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的目的是提供一种不含铅、居里点高、而且具有优良的压电特性和特别大的Qmax值的压电陶瓷。该压电陶瓷的特征是，其中含有一种以具有(M111-xLnx)Bi4Ti4O15型结晶(M11是选自Sr、Ba和Ca中的元素，Ln是选自镧系的元素，x处于0＜x≤0.5的范围内)的铋层状化合物作为主成分，以选自Mn氧化物和Co氧化物中的至少1种及镧系元素作为副成分，而且作为副成分的镧系元素的含量在换算为氧化物时处于0.02～0.12重量%的范围内。

公开(公告)号：CN108172683B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201711276515.4

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐久间仁志 ,  东智久 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/04 ,  H01L41/053

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电阻率高并且即使经连续驱动压电常数也难以降低的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体100具备第一电极层3、被层叠于第一电极层3的第一氧化物层4、被层叠于第一氧化物层4的第二氧化物层5、被层叠于第二氧化物层5的压电薄膜6，第一氧化物层4的电阻率高于第二氧化物层5的电阻率，第一氧化物层4含有K、Na以及Nb，压电薄膜6含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN107235724A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710195606.9

申请日：2017-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 东智久 ,  七尾胜 ,  石井健太

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/48 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制成为缺陷的主要因素的微粒的产生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒构成，所述晶粒的平均粒径大于3μm且为30μm以下。

公开(公告)号：CN102219511A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110073923.6

申请日：2011-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田内刚士 ,  东智久 ,  曾根英明

IPC: C04B35/493 ,  H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/24 ,  H03H9/02

CPC classification number: C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  H01L41/1876 ,  H03H9/1035

Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物、压电元件以及振荡器。本发明提供了一种提高振荡器的Qmax并且能够抑制在低温环境下振荡器的振荡频率F0的变化的压电陶瓷组合物。本发明的压电陶瓷组合物，具有由下列通式(1)表示的组成。(PbαLnβMeγ)(Ti1-(x+y+z)ZrxMnyNbz)O3 (1)[式(1)中，Ln表示镧系元素，Me表示碱土金属元素，α＞0，β＞0，γ≥0，0.965≤α+β+γ≤1.000，0.158≤x≤0.210，y≥0，z≥0，1-(x+y+z)＞0]。

公开(公告)号：CN1919787A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200510096538.8

申请日：2005-08-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广濑正和 ,  东智久 ,  古川正仁 ,  田岳夫 ,  坂本典正

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/187 ,  H03H9/00

CPC classification number: C04B35/493 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种机电耦合系数大、耐热性优良的压电陶瓷组合物。在含有以Pb、Zr、Ti为主成分的钙钛矿化合物的压电陶瓷组合物中，作为副成分，同时含有Cr、Al以及Si。其中，优选的含量是：Cr以Cr2O3换算为0.05～0.50重量％，Al以Al2O3换算为0.005～1.500重量％，Si以SiO2换算为0.005～0.100重量％。通过同时含有这3种元素且将其含量设定在上述范围内，能够使机电耦合系数kt达到30％或以上，能够将接受外部的热冲击之前以及之后的共振频率Fr的变化率ΔFr的绝对值设定为0.5％或以下。

公开(公告)号：CN108172683A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711276515.4

申请日：2017-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐久间仁志 ,  东智久 ,  石井健太

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/04 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0815 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  G11B5/483 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电阻率高并且即使经连续驱动压电常数也难以降低的压电薄膜层叠体。压电薄膜层叠体100具备第一电极层3、被层叠于第一电极层3的第一氧化物层4、被层叠于第一氧化物层4的第二氧化物层5、被层叠于第二氧化物层5的压电薄膜6，第一氧化物层4的电阻率高于第二氧化物层5的电阻率，第一氧化物层4含有K、Na以及Nb，压电薄膜6含有(K,Na)NbO3。

公开(公告)号：CN103172374B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210574865.X

申请日：2012-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾根英明 ,  东智久 ,  古川正仁 ,  上田智子

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/187 ,  H01L41/083

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3244 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明要解决的技术问题是：烧结时，铌酸锂钠钾容易发生异常晶粒生长，会产生晶粒尺寸为数十微米（μm）以上的巨大晶粒。本发明提供一种压电陶瓷及使用其的压电元件，该压电陶瓷以由不含铅（Pb）作为构成元素的复合氧化物构成的组合物为主要成分，因此环保性能优良，并且其相对介电常数、机电耦合系数、压电常数等的压电特性优异。该压电陶瓷以由通式(1)所表示的组合物为主要成分，(K1-x-y-w-vNaxLiyBawSrv)m(Nb1-z-uTaz-Zru)O3…(1)（其中，式中的ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｖ、ｕ以及ｍ分别为0.4

公开(公告)号：CN101386533B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810173731.0

申请日：2008-09-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 寺西惠介 ,  东智久 ,  广濑正和

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/462

CPC classification number: C04B35/493 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/257

Abstract: 本发明提供一种能够提高韧性的压电陶瓷的制造方法。所述压电陶瓷的制造方法包括：对下述压电陶瓷实施极化处理的工序，该所述压电陶瓷具有用组成式Pba[(MnbNbc)dTieZrf]O3表示的主成分，在上述组成式中，满足0.98≤a≤1.01、0.340≤b≤0.384、0.616≤c≤0.660、0.08≤d≤0.12、0.500≤e≤0.540、0.37≤f≤0.41、bd+cd+e+f＝1，并且，含有以Al2O3换算为1～10wt％的Al作为副成分，所述压电陶瓷的制造方法包括：对上述压电陶瓷进行极化处理的工序；以及对进行实施过极化处理后的压电陶瓷实施在200～300℃的范围内进行保持10～60分钟的热处理的工序。通过该热处理，能够提高韧性。

公开(公告)号：CN100408508C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200480017250.0

申请日：2004-09-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 广濑正和 ,  东智久 ,  丹羽康夫 ,  阿部贤

IPC: C04B35/493

CPC classification number: C04B35/491 ,  C01G45/125 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/493 ,  C04B35/62655 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  H01L41/1876

Abstract: 本发明高精度地且生产效率不受损失地提供耐热性优良的压电陶瓷组合物、以及压电元件。在含有以Pb、Zr、Ti为主成分的钙钛矿化合物的压电陶瓷组合物中，含有以Cr2O3计为0.025～0.250重量%的Cr作为副成分。根据本发明的压电陶瓷组合物，可以将受到外部热冲击前后的机电耦合系数k15的变化率Δk15的绝对值限定在3.0%或以下。优选含有以Cr2O3计为0.030～0.200重量%的Cr作为副成分。