-
公开(公告)号：CN110600847B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910509340.X
申请日：2019-06-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/36
Abstract: 本发明提供一种非可逆电路元件，抑制由起因于中心导体的凹凸或变形等的空气层导致的非可逆电路元件的电气特性的变化。其具备磁转子(40)和对磁转子(40)施加直流磁场的永久磁铁(31、32)，磁转子(40)包含中心导体(70)、层叠于中心导体(70)的第一铁氧体芯(41)、设置于中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间所形成的间隙内的电介质(43)。根据本发明，因为在中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间的空气层中填充电介质(43)，所以能够抑制有效的介电常数的降低。由此，能够抑制由起因于中心导体(70)的凹凸或变形等的空气层导致的电气特性的变化。
-
公开(公告)号：CN111697297A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010174792.X
申请日：2020-03-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/37
Abstract: 本发明提供一种不可逆电路元件，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。不可逆电路元件(10)具备：磁转子(40)，其配置于接地导体(51、52)之间；永久磁铁(31、32)，其对磁转子(40)施加直流磁场。磁转子(40)包含：铁氧体磁芯(41)，其一表面由接地导体(51)覆盖；铁氧体磁芯(42)，其一表面由接地导体(52)覆盖；中心导体(70B)，其直接固定于铁氧体磁芯(41)的另一表面；中心导体(70A)，其直接固定于铁氧体磁芯(42)的另一表面。这样，因为中心导体(70A、70B)分别直接固定于铁氧体磁芯(42、41)，所以在两者之间不会产生间隙。由此，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。
-
公开(公告)号：CN1719658A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时，在温度T2下的饱和磁化为S12，在温度T3下的饱和磁化为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时，在温度T2下的饱和磁化为S22，在温度T3下的饱和磁化为S23时，具有|(S12－S11)/(T2－T1)|＜|(S22－S21)/(T2－T1)|、|(S13－S12)/(T3－T2)|＞|(S23－S22)/(T3－T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值。
-
公开(公告)号：CN119318073A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202280096809.1
申请日：2022-06-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/36
Abstract: 该非可逆电路元件具备金属层、损耗层以及磁铁。所述金属层具备第一端子、第二端子以及第三端子。所述损耗层具备磁性体和吸收体。所述磁性体在厚度方向上与所述金属层的第一区域重叠。所述吸收体在所述厚度方向上与所述金属层的第二区域重叠。所述磁铁和所述金属层在所述厚度方向上至少夹持所述磁性体。从所述厚度方向观察，所述金属层的连接所述第一端子和所述第二端子的第一边与所述吸收体的所述第一端子及所述第二端子侧的第二边的最短宽度，比连接所述第一边的两端的第一直线和连接所述第二边的两端的第二直线之间的宽度短。
-
公开(公告)号：CN110600847A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910509340.X
申请日：2019-06-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/36
Abstract: 本发明提供一种非可逆电路元件，抑制由起因于中心导体的凹凸或变形等的空气层导致的非可逆电路元件的电气特性的变化。其具备磁转子(40)和对磁转子(40)施加直流磁场的永久磁铁(31、32)，磁转子(40)包含中心导体(70)、层叠于中心导体(70)的第一铁氧体芯(41)、设置于中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间所形成的间隙内的电介质(43)。根据本发明，因为在中心导体(70)和第一铁氧体芯(41)之间的空气层中填充电介质(43)，所以能够抑制有效的介电常数的降低。由此，能够抑制由起因于中心导体(70)的凹凸或变形等的空气层导致的电气特性的变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399390A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165842.7
申请日：2008-09-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明是一种不可逆电路元件，适于小型化/薄型化，可以轻易且可靠调整衰减量、插入损耗、工作频率、10dB隔离频带比率及所要求的工作磁场等，而且能够可靠确保频带外的衰减。第一至第三中心导体L1～L3的一端在共用电位P0上，与铁氧体2进行组合，构成磁转子1。第一电容器C1连接在第一中心导体L1的另一端P1和第二中心导体L2的另一端P2之间。第二电容器C2连接在第一中心导体L1的另一端P1和第三中心导体L3的另一端P3之间。第三电容器C3连接在第二中心导体L2的另一端P2和第三中心导体L3的另一端P3之间。第四电容器C4连接在共用电位P0和接地端子33之间。终端电阻R连接在第三中心导体L3的另一端P3和第四电容器C4的一个电容器电极之间。
-
公开(公告)号：CN1174519C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN98802350.4
申请日：1998-11-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种不可逆电路元件，包括：磁性体；在相互绝缘的状态下交错设置在所述磁性体上或内的多个中心导体；向所述磁性体施加磁场的永久磁体；与所述中心导体的一端共同连接的屏蔽导体；与所述中心导体的另一端连接的输入输出端；在所述不可逆元件的各输入输出端与地之间形成的输入输出电容；以及在所述屏蔽导体与所述地之间连接的只调整同相激励固有值以降低不可逆元件的工作频率的电容，在该电容的电容值为Cs，各输入输出电容的电容值为C时，Cs×C≤1500pF2。由此可实现小型化、轻量化及薄型化，并且可以在不改变所使用的材料且不导致插入损失增加的情况下任意调整温度特性。
-
公开(公告)号：CN1111881C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN98801384.3
申请日：1998-09-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387 , Y10T428/12896 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明的多层陶瓷部件包含共同烧制形成的内导体层和陶瓷层。内导体层由以银为主要成分的导电材料形成，而陶瓷层由钇-铁-石榴石为基的氧化物磁性材料添加0.2～5重量%的银而形成。烧制温度等于或高于上述导电材料的熔点而低于上述导电材料的沸点。由此，能以高的合格率制造尺寸更小的多层陶瓷部件。
-
公开(公告)号：CN116073099A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111270567.7
申请日：2021-10-29
Applicant: TDK株式会社 , TDK大连电子有限公司
Abstract: 本发明提供不可逆电路元件和具有该不可逆电路元件的通信装置，能够在具有在设置于电介质基板的贯通孔中收纳有磁转子的结构的不可逆电路元件中降低插入损失。不可逆电路元件(1)包括：具有贯通孔(11a)的电介质基板(10)；收纳于贯通孔(11a)的磁转子(M)；和对磁转子(M)施加磁场的永磁铁(20)。磁转子(M)以不与贯通孔(11a)的内壁接触的方式被支承于电介质基板(10)。像这样，在不可逆电路元件(1)中，由于磁转子(M)不与贯通孔(11a)的内壁接触，因此能够降低插入损失。
-
公开(公告)号：CN115939709A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211208491.X
申请日：2022-09-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的课题为降低不可逆电路元件的插入损耗。不可逆电路元件(1)具备磁转子(M)和对磁转子(M)施加磁场的永磁铁(20)。磁转子(M)包含铁氧体芯(90)、以及位于铁氧体芯(90)与永磁铁(20)之间的中心导体(81～83)。中心导体(81～83)具有与永磁铁(20)相面对的上表面(S1)、与上表面(S1)垂直的侧面(S3)、以及由上表面(S1)的端部及侧面(S3)的一端部构成的上表面侧角部(C1)，在中心导体(81～83)的上表面侧角部(C1)形成有圆角。由此，缓和对插入损耗的影响大的上表面侧角部(C1)中的局部的电场集中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.01 seconds)
