电介质陶瓷组合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN101090877A

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN200680001481.1

    申请日:2006-03-14

    Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物,作为主成分,以规定比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO和SiO2;作为前述电介质陶瓷组合物的副成分,以规定比率含有ZnO、B2O3、CuO和碱土类金属氧化物RO(R:碱土类金属),进一步优选作为副成分含有Ag而构成,所以可以使低温下的烧结性更加稳定,可靠,所以能够可靠地将Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体使用。

    低温共烧陶瓷材料和使用该材料的多层配线板

    公开(公告)号:CN1716459A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200510080911.0

    申请日:2005-06-28

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的是提供具有受控的线性热膨胀系数且具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料,并且在即使烧制产品在其中不同组成的玻璃-陶瓷混合层被层叠的多层配线板中具有非对称层叠结构时也能减小其翘曲。根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括:基于SiO2-B2O3-Al2O3-碱土金属氧化物的玻璃、氧化铝、氧化钛和堇青石;玻璃、氧化钛和堇青石;或者玻璃、氧化钛和莫来石。当多层配线板由该低温共烧陶瓷材料制成时,调节基板材料中堇青石或莫来石的含量,以将基板材料中的层间的线性热膨胀系数差控制为不大于0.25×10-6/℃。

    低温共烧陶瓷材料和使用该材料的多层配线板

    公开(公告)号:CN100561604C

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200510080911.0

    申请日:2005-06-28

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明的目的是提供具有受控的线性热膨胀系数且具有高介电常数的低温共烧陶瓷材料,并且在即使烧制产品在其中不同组成的玻璃-陶瓷混合层被层叠的多层配线板中具有非对称层叠结构时也能减小其翘曲。根据本发明的低温共烧陶瓷材料包括:基于SiO2-B2O3-Al2O3-碱土金属氧化物的玻璃、氧化铝、氧化钛和堇青石;玻璃、氧化钛和堇青石;或者玻璃、氧化钛和莫来石。当多层配线板由该低温共烧陶瓷材料制成时,调节基板材料中堇青石或莫来石的含量,以将基板材料中的层间的线性热膨胀系数差控制为不大于0.25×10-6/℃。

    电介质陶瓷组合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN100537474C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200680001481.1

    申请日:2006-03-14

    Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物,作为主成分,以规定比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO和SiO2;作为前述电介质陶瓷组合物的副成分,以规定比率含有ZnO、B2O3、CuO和碱土类金属氧化物RO(R:碱土类金属),进一步优选作为副成分含有Ag而构成,所以可以使低温下的烧结性更加稳定·可靠,所以能够可靠地将Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体使用。

    电介质陶瓷组合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN101031524A

    公开(公告)日:2007-09-05

    申请号:CN200580033116.4

    申请日:2005-09-29

    Abstract: 通过本发明可提供一种通过以规定的比例含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作为电介质陶瓷组合物的主成分,以规定的比例含有ZnO、B2O3及CuO作为所述电介质陶瓷组合物的副成分,可以得到在低温下的烧结性更为稳定和可靠的产品,实现Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体进行使用的产品。进一步,还可以得到温度变化引起的共振频率数的变化小、具有比BaO-稀土类氧化物-TiO2类电介质陶瓷组合物的比介电常数更低的比介电常数电介质陶瓷组合物,并为形成多层型设备提供适用的电介质陶瓷组合物。

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