公开(公告)号：CN119742291A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411852621.2

申请日：2024-12-16

Applicant: 合肥仙湖半导体科技有限公司

Inventor： 黄明乐

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，解决了单基岛封装限制了芯片的电流承载能力，无法满足更高功率需求的技术问题，尤其涉及一种芯片封装结构及其封装工艺，包括作为封装载体的导线架，所述导线架上设置有源极基岛以及位于其上的至少两个芯片放置区域，且相邻的两个芯片放置区域之间设置有用于至少两个芯片的源极相互串联的源极连接部，所述导线架上设置有至少两个漏极基岛以及位于其上的漏极连接部，所述导线架上还设置有用于芯片栅极连接的栅极连接部。本发明采用多基岛封装可以放置多颗颗芯片，可以有效提升整体的电流输出，从而提高封装的功率密度和电流承载能力，达到更高的功率水平，满足大功率应用场景的需求。

公开(公告)号：CN119725227A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202311294698.8

申请日：2023-09-28

Applicant: 华为技术有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 于大全 ,  王曼玉 ,  张英东 ,  郑莉

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/71 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种器件切割方法、封装方法及其应用。其中，切割方法包括步骤：提供待切割的晶圆，在切割区域设置波浪形切割道，根据波浪形切割道在切割区域内布局多个通孔；波浪形切割道的线形为弧线和/或折线；沿波浪形切割道对所述待切割的晶圆进行切割处理，将至少两个相邻的所述芯片区域切割成独立的芯片单元。通过该切割方法切割后使得芯片边缘的切割残余区呈凹凸结构，在切割残余区的凸起部位有相对较大的尺寸可以合理布局数个通孔，将芯片边缘的切割残余区充分利用起来，提高对芯片的利用率，提高芯片通孔的集成密度，缩小后续封装体的尺寸，提升封装集成度，有利于后续堆叠、封装等操作。

公开(公告)号：CN119698693A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059514.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 迈克尔·托德·怀恩特

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02

Abstract: 描述分离半导体裸片的方法。所述方法可从半导体晶片(110)分离个别半导体裸片(115)而无需使用刀片。所述方法包含等离子体蚀刻工艺(155)，所述等离子体蚀刻工艺利用形成于所述晶片(110)的背侧上的金属结构(145)作为掩模以从所述背侧移除所述半导体晶片(110)的一部分。由所述等离子体蚀刻工艺(155)移除的所述部分对应于所述半导体裸片(115)之间的划片线(120)。所述等离子体蚀刻工艺(155)在形成于所述晶片(110)的前侧上的介电层(125)处终止。可切断所述介电层(125)以完成分离工艺。此外，可利用超声波水射流工艺以移除已切断的所述介电层(125)的毛边。

公开(公告)号：CN119673855A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510186235.2

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京芯力技术创新中心有限公司

Inventor： 刘括 ,  王阳 ,  章莱

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本申请公开了一种芯片的制备方法，适用于半导体技术领域，该制备方法包括，将晶圆粘贴到切割胶带上，切割胶带包括靠近晶圆一侧的第一表面，以及设置于第一表面的阻挡层，阻挡层从第一表面延伸至切割胶带内，且阻挡层的靠近晶圆一侧的表面与第一表面齐平，晶圆包括切割道，切割道在第一表面上的正投影，位于阻挡层所在的区域范围内。对晶圆的切割道进行切割，以将晶圆切割成多个芯片。本申请的技术方案实现了芯片制备精度的提升。

公开(公告)号：CN119601546A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411797685.7

申请日：2024-12-09

Applicant: 安徽芯塔电子科技有限公司

Inventor： 倪炜江 ,  郝志杰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆级封装结构及其制造方法，包括碳化硅芯片、凸块下金属、第一绝缘材料、第二绝缘材料、第三绝缘材料、第一金属凸块、第二金属凸块，所述第二金属凸块与碳化硅芯片下表面的电极金属结构配合，所述第一金属凸块外端设有第三金属凸块，所述第二金属凸块外端设有第四金属凸块，所述碳化硅芯片外侧设有第四绝缘材料，本发明优化了碳化硅器件体积，无连接引线，封装带来的杂散电感低，传输速度快，适用于高频应用，晶圆级作业生产周期短，节省封装费用，芯片与引脚距离短，散热好，且无引线发热，适用于高温工况。

公开(公告)号：CN110491778B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201910397969.X

申请日：2019-05-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  G.德尼夫尔 ,  T.F.W.赫希鲍尔 ,  M.胡贝尔 ,  W.莱纳特 ,  R.鲁普 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L21/18 ,  H10D62/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/78

Abstract: 提出了一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100）。该方法（100）包括在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）。该方法（100）进一步包括在宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层。沿着拆分区域拆分（130）宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括非单晶支撑层（320）的剩余晶片。

公开(公告)号：CN119581418A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202311727846.0

申请日：2023-12-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小川雅章

IPC: H01L21/78 ,  H10D64/23

Abstract: 本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具有半导体元件，该半导体元件具有第一面、位于第一面的相反侧的第二面、位于第一面与第二面之间的侧面。第一电极层设置于半导体元件的第一面。第二电极层设置于半导体元件的第二面。第二面的外缘部比第一面的外缘部更圆。第二电极层的膜厚随着接近侧面而逐渐变薄。

公开(公告)号：CN117672977B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202211008429.6

申请日：2022-08-22

Applicant: 荣耀终端股份有限公司

Inventor： 王全龙 ,  黄松

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 本申请提供的MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备，MOSFET封装结构通过将MOSFET芯片的第一表面贴装在载体芯片的安装区域内，MOSFET芯片与载体芯片之间的互连距离短，寄生电感小，易于实现高频率驱动。并且，通过在MOSFET芯片的第二表面贴装导电件形成MOSFET组件，MOSFET芯片上的输入垫、输出垫及接地垫为大电流通过区域，通过设置三个导电件分别与输入垫、输出垫及接地垫电连接，MOSFET芯片的大电流通过区域通过导电件与电路板互连，导电件不仅具有高载流能力，而且，还可以减小互连的电阻，减少MOSFET芯片的产热，且导电件的导热能力强，能够提升MOSFET芯片的散热性能。另外，MOSFET组件直接贴装于载体芯片组成MOSFET封装结构，封装体积小，有利于MOSFET封装结构的小型化。

公开(公告)号：CN112309971B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202010629260.0

申请日：2020-07-02

Applicant: 三星钻石工业股份有限公司

Inventor： 田村健太 ,  武田真和 ,  市川克则

IPC: H01L21/78 ,  C03B33/023 ,  C03B33/033

Abstract: 本发明提供能够将脆性材料基板适当地切断为不同的尺寸的单片的脆性材料基板的切断方法。该方法具备：刻划工序，在刻划工序中，在基板的一主面侧，沿着切断预定位置形成刻划线，该切断预定位置确定于包括在切断后成为小尺寸单片的区域和成为大尺寸单片的区域在内的全部区域的周围；以及断开工序，在断开工序中，对全部断开棒抵接位置进行从基板的另一主面侧在断开棒抵接位置以规定的压入量压入断开棒的断开动作，该断开棒抵接位置至少包含刻划线的上方位置，在断开工序中，(a)将刀尖角(θ)设为50°～90°，(b)将刀尖前端的曲率半径(R)设为100μm～300μm，(c)将压入量设为60μm～100μm，(d)将断开棒下降速度设为10mm/s～100mm/s。

公开(公告)号：CN119547197A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380021425.8

申请日：2023-02-08

Applicant: 相干激光系统有限公司

Inventor： R·森克祖克

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 用于紫外激光转移和清洁微电子器件的方法(100)，包括：将微电子器件(110)从供体基板(120)转移(102)到接收基板(130)，并在转移之后清洁(104)微电子器件(110)。转移之前，微电子器件(110)通过包含镓的牺牲层(112)耦合到供体基板(120)。第一紫外激光束(180)烧蚀牺牲层(112)以将微电子器件(110)从供体基板(120)释放，在微电子器件(110)的新暴露表面(116)上留下镓残留物(114)。第二紫外激光束(190)烧蚀镓残留物(114)以清洁微电子器件(110)。第一紫外激光束(180)和第二紫外激光束(190)可由同一紫外激光器(170)产生。与液体蚀刻相比，镓残留物的激光烧蚀省去了湿化学步骤，并且可由用于转移的同一激光装置执行。当接收基板不耐受液体蚀刻时，激光清洁尤其有利。