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公开(公告)号：CN1930084A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007368.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
IPC: C01F5/02 , H01L23/29 , C08K9/02 , H01L23/31 , C08L101/00
CPC classification number: C01F5/02 , C01P2004/80 , C08K9/02 , C09C1/028 , H01L23/295 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H05K1/0373 , H05K2201/0209 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种含磷包覆氧化镁粉末的制造方法以及含该粉末的树脂组合物。该含磷包覆氧化镁粉末的特征在于：在具有由复氧化物形成的表面包覆层的包覆氧化镁粉末表面的至少一部分上，进一步具有由磷酸镁系化合物形成的包覆层，且上述磷酸镁系化合物对上述包覆氧化镁粉末的含量换算成磷是总体的0.1～10重量％；含磷包覆氧化镁粉末的制造方法的特征在于：通过将具有复氧化物表面包覆层的包覆氧化镁粉末以磷化合物进行处理后，于300℃以上煅烧，从而在上述包覆氧化镁粉末表面的至少一部分形成磷酸镁系化合物。
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公开(公告)号：CN117083396A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025229.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
IPC: C21D8/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于得到覆膜特性优异的取向性电工钢的退火分离剂用氧化镁。本发明是一种退火分离剂用氧化镁，其CAA40％为50秒以上且170秒以下，恒pH值法中达到反应率20mol％为止的时间(T2)与达到反应率10mol％为止的时间(T1)之比(T2/T1)为3.0以上。
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公开(公告)号：CN110770523B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201880043662.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社 , 国立大学法人千叶大学
Abstract: 提供在进行利用了碱土类金属的氢氧化物的脱水反应的蓄热的化学蓄热材料中显示更高的反应率并能实现更低温下的蓄热的化学蓄热材料，以及用于利用该化学蓄热材料进行蓄热及放热的化学热泵。化学蓄热材料包含碱土类金属的氢氧化物及/或氧化物和酸，所述酸的量相对于所述碱土类金属为0.05～30摩尔％。又，利用了吸热脱水反应及水合发热反应的化学热泵（10）具有：容纳包含碱土类金属的氢氧化物及/或氧化物的化学蓄热材料（21）的反应器（11）；与所述反应器热连接，从外部对所述化学蓄热材料供给热的热供给单元（12）；与所述反应器热连接，将从所述化学蓄热材料产生的热取出到外部的热回收单元（13）；储存水（22）的储存器（14）；连接所述反应器和所述储存器，使水通过的连接管（15）；以及向所述化学热泵内供给酸的酸供给机构（17）。
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公开(公告)号：CN108884509A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021886.X
申请日：2017-03-16
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供用于得到磁特性和绝缘特性优异的取向性电工钢的退火分离剂用氧化镁。用于解决上述课题的本发明为硫含量为0.1～0.5质量％，并且由勃氏比表面积算出的粒径RBlaine与由BET比表面积算出的粒径RBET之间的比即聚集度RBlaine/RBET为3.0～5.5的退火分离剂用氧化镁。
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公开(公告)号：CN105008281A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480008719.8
申请日：2014-02-12
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Inventor： 黑田明
CPC classification number: C01F5/08 , C01F5/16 , C01P2004/10 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2006/12
Abstract: 本发明提供具有高比表面积的氢氧化镁颗粒和氧化镁颗粒、以及它们的制造方法。一种氢氧化镁颗粒和氧化镁颗粒，其为鳞片状的初级颗粒聚集而成的棒状，利用激光衍射散射式粒度分布测定的体积累积的50％粒径(D50)为1.0～10.0μm，比表面积为10m2/g以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104797530A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059389.0
申请日：2013-11-06
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Inventor： 大崎善久
CPC classification number: H01L23/295 , C01F5/14 , C01F5/145 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C08K3/013 , C08K3/22 , C08K2003/2224 , C09K21/02 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种α射线释放量少并且配混到树脂中时的流动性及分散性良好的氢氧化镁颗粒以及含有该氢氧化镁颗粒的树脂组合物及其制造方法。一种氢氧化镁颗粒及其制造方法，该氢氧化镁颗粒的晶体外形为六角柱形状颗粒，所述六角柱形状颗粒由相互平行的上下2个面的六角形基底面和在这些基底面间形成的外周6个面的角柱面构成，前述六角柱形状颗粒的c轴方向的大小为0.5～6.0μm，前述c轴方向的大小为前述六角柱形状颗粒的平均粒径的50％以上，α射线释放量为0.020c/cm2/h以下，且纯度为98.0％以上。
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公开(公告)号：CN103108843A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180046359.7
申请日：2011-11-04
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Inventor： 大崎善久
CPC classification number: H05B33/145 , C01F5/06 , C01F5/08 , C01P2004/51 , C04B35/053 , C04B2235/3201 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/661 , C09K11/616 , H01J11/42 , H01J29/20
Abstract: 提供不论氟含量小于100ppm，具有与含有大于100ppm的氟的氧化镁同等程度以上的紫外光发光强度的含氟氧化镁发光体。是基于由电子束或紫外线引起的激发在200～300nm紫外线区域具有发光峰的氧化镁发光体，相对于氧化镁的氟含量小于100ppm，且发光峰相对于激光灯的反射峰（波长为980nm附近）的强度比为20以上。该发光体是在氧化镁前躯体中，以氟相对于镁为0.06～1.25mol%的量添加氟化合物并烧成，而且暂时冷却后通过再次烧成而得到的。
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公开(公告)号：CN101146936B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200680009667.1
申请日：2006-03-24
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/16 , C23C14/081 , C30B11/003 , C30B23/066
Abstract: 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10-6～1000×10-6kg/kg、硅含量为10×10-6kg/kg以下，并且通过TOF-SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。
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公开(公告)号：CN101687659A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022040.9
申请日：2008-06-26
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C01F5/08 , B01J21/10 , B01J35/023 , C01F5/22 , C01P2002/52 , C01P2004/32 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2006/80
Abstract: 本发明的目的在于，提供可再分散、且可在纯度维持于高纯度的状态下供给的高纯度氧化镁颗粒聚集物及其制造方法。一种氧化镁颗粒聚集物，该氧化镁颗粒聚集物由氧化镁颗粒聚集而成，其中，氧化镁颗粒的平均粒径为1μm以下，且含有杂质Si、Al、Ca、Fe、V、Cr、Mn、Ni、Zr、B及Zn分别在10质量ppm以下，杂质的总计质量比为100质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN101146936A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009667.1
申请日：2006-03-24
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/16 , C23C14/081 , C30B11/003 , C30B23/066
Abstract: 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10－6～1000×10－6kg/kg、硅含量为10×10－6kg/kg以下，并且通过TOF－SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。
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