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公开(公告)号：CN103964475B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410048866.X
申请日：2008-01-22
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C01F5/06 , C01F5/08 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/80
Abstract: 本发明提供立方体状且平均粒径大的氧化镁粉末及其制法。该氧化镁粉末用扫描型电子显微镜观察到的粒子形状为立方体状，并且由激光衍射散射式粒度分布测定得到的累积50％粒径(D50)为1.0μm以上。该粉末可通过将氧化镁前体在相对于该前体的总量为0.5～30质量％的卤化物离子的存在下在封闭体系中烧成而获得。
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公开(公告)号：CN101124347A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005522.4
申请日：2006-02-21
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/16
Abstract: 本发明提供一种单晶MgO蒸镀材料，其作为一种靶材使用，该靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成MgO膜。该蒸镀材料不降低蒸镀时的成膜速度，可防止产生飞溅，并且可提高优异的膜特性，例如作为PDP用保护膜使用时的放电特性等。蒸镀材料由氧化镁单晶形成，将所述蒸镀材料的最大投影面的等效圆直径设为D(m)、将与所述最大投影面垂直的方向的厚度设为t(m)、将蒸镀材料的体积设为V(m3)时，D/t为4以上，t为0.4×10－3m以上，V为5×10－9m3以上，并且，所述最大投影面的总面积的90％以上是由(100)面、(110)面及(111)面中的至少一种构成。
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公开(公告)号：CN1930084A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007368.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
IPC: C01F5/02 , H01L23/29 , C08K9/02 , H01L23/31 , C08L101/00
CPC classification number: C01F5/02 , C01P2004/80 , C08K9/02 , C09C1/028 , H01L23/295 , H01L23/564 , H01L2924/0002 , H05K1/0373 , H05K2201/0209 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种含磷包覆氧化镁粉末的制造方法以及含该粉末的树脂组合物。该含磷包覆氧化镁粉末的特征在于：在具有由复氧化物形成的表面包覆层的包覆氧化镁粉末表面的至少一部分上，进一步具有由磷酸镁系化合物形成的包覆层，且上述磷酸镁系化合物对上述包覆氧化镁粉末的含量换算成磷是总体的0.1～10重量％；含磷包覆氧化镁粉末的制造方法的特征在于：通过将具有复氧化物表面包覆层的包覆氧化镁粉末以磷化合物进行处理后，于300℃以上煅烧，从而在上述包覆氧化镁粉末表面的至少一部分形成磷酸镁系化合物。
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公开(公告)号：CN101146936B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200680009667.1
申请日：2006-03-24
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/16 , C23C14/081 , C30B11/003 , C30B23/066
Abstract: 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10-6～1000×10-6kg/kg、硅含量为10×10-6kg/kg以下，并且通过TOF-SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。
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公开(公告)号：CN101146936A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009667.1
申请日：2006-03-24
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C30B29/16 , C23C14/081 , C30B11/003 , C30B23/066
Abstract: 本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度；以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10－6～1000×10－6kg/kg、硅含量为10×10－6kg/kg以下，并且通过TOF－SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30％以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1854067A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076518.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氢氧化镁粒子及其制法以及包含该粒子的树脂组合物。本发明的目的在于提供一种阻燃性优异且对树脂的填充性良好、并且作为半导体封装用树脂的填充剂非常有用的氢氧化镁阻燃剂以及低成本地制造该阻燃剂的方法。一种氢氧化镁阻燃剂，其特征在于包含一种氢氧化镁粒子，该氢氧化镁粒子是晶体外形由相互平行的上下2个六角形底面和形成在这些底面间的周围6个棱柱面构成的六棱柱形状粒子，上述六棱柱形状粒子的c轴方向的尺寸为1.5×10－6～ 6.0×10－6m。
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公开(公告)号：CN1839182A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200380110483.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
IPC: C09C1/02 , C01F5/02 , C08K9/02 , C08L101/00
CPC classification number: C09C1/028 , C01F5/02 , C01P2004/32 , C01P2004/54 , C01P2004/84 , H05K1/0373 , H05K2201/0209 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种球状包覆氧化镁粉末，其特征在于：是耐湿性优异，且在用作对树脂的充填材料时，填充性以及流动性优异的球状包覆氧化镁粉末，被复合氧化物包覆，且，平均形状系数为1.2或1.2以下。另外，本发明提供一种球状包覆氧化镁粉末的制造方法，使氧化镁粉末的表面上存在形成复合氧化物的元素的化合物之后，通过高温下使其熔融，从而以复合氧化物包覆所述镁粉末表面，并进行球状化。进一步，本发明提供含有该球状包覆氧化镁粉末的树脂组合物及使用该树脂组合物的电子装置。
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公开(公告)号：CN103964475A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410048866.X
申请日：2008-01-22
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C01F5/06 , C01F5/08 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/80
Abstract: 本发明提供立方体状且平均粒径大的氧化镁粉末及其制法。该氧化镁粉末用扫描型电子显微镜观察到的粒子形状为立方体状，并且由激光衍射散射式粒度分布测定得到的累积50％粒径(D50)为1.0μm以上。该粉末可通过将氧化镁前体在相对于该前体的总量为0.5～30质量％的卤化物离子的存在下在封闭体系中烧成而获得。
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公开(公告)号：CN101679860B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880013109.1
申请日：2008-04-08
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/643 , C01F7/002 , C01P2002/60 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C09K11/695 , C09K11/7731
Abstract: 本发明提供基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内进行高水平的发光的氧化物发光体。该发光体是由包含异种金属元素或准金属元素的周期表第2A族元素的氧化物构成的、基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内具有发光峰值的发光体。较好的是所述异种金属元素或准金属元素相对于所述周期表第2A族元素的比例为0.0001～1摩尔％，周期表第2A族元素为Mg，异种金属元素为Al。
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