存储器件
    21.
    发明公开
    存储器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116417042A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202211449532.4

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 一种存储器件包括:位单元阵列,所述位单元阵列包括与被供应单元电源电压的第一辅助线路连接的多个位单元;写入驱动器,所述写入驱动器被配置为在写入操作期间向在所述位单元阵列的列方向上延伸的位线施加与写入数据相对应的位线电压;以及写入辅助电路,所述写入辅助电路与所述第一辅助线路和与所述第一辅助线路平行地延伸的第二辅助线路连接,并且被配置为在写入操作期间降低与所述写入驱动器间隔开的第一位单元的单元电源电压,其中,通过所述第二辅助线路向所述第一辅助线路供应所述单元电源电压,并且通过所述第一辅助线路向所述第一位单元和与所述写入驱动器相邻的第二位单元顺序地感应所述单元电源电压。

    源极放大器和包括源极放大器的显示装置

    公开(公告)号:CN115602088A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202210221613.2

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 公开了一种源极放大器和包括源极放大器的显示装置。所述源极放大器包括第一电路和第二电路,第一电路通过放大输入电压将第一电流输出到源极放大器的输出端子,第二电路与第一电路连接并基于输入电压将第二电流输出到所述输出端子。第二电路包括响应于使能信号而调整第二电流的水平的第三电路。

    用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法

    公开(公告)号:CN107039070B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201710061158.3

    申请日:2017-01-25

    Abstract: 一种半导体器件包括有源区域,所述有源区域在第一方向上延伸;第一晶体管,所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域,所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处;第二晶体管,所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域,所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处;以及第三晶体管,所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域,所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处,并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。

    显示驱动电路及包括其的电子设备

    公开(公告)号:CN103544914B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201310290594.X

    申请日:2013-07-11

    Abstract: 显示驱动器集成电路包括:调节器,被配置为将外部提供的驱动电压转换为与显示驱动器集成电路的多个电力域之一对应的工作电压;图形数据处理单元,被配置为处理输入到图形数据处理单元的图像数据,并且向显示面板输出图像数据;控制开关,被配置为控制工作电压向图形数据处理单元的供应;和内核逻辑单元,被配置为从调节器接收工作电压,并且响应于显示驱动器集成电路的操作模式而控制所述控制开关。

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