公开(公告)号：CN117316231A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310721706.6

申请日：2023-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗哲 ,  金基兴 ,  吴台荣 ,  李京虎 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4074

Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件和包括该半导体存储器件的存储器系统。该半导体存储器件包括：存储单元阵列；行锤击管理电路，该行锤击管理电路被配置成：基于激活命令来对访问次数进行计数，以及基于激活命令之后施加的第一命令，执行内部读取‑更新‑写入操作，以从目标存储单元行的计数单元中读取计数数据、以及以将所更新的计数数据写入目标存储单元行的计数单元中；以及列译码器，该列译码器被配置成：使用第一位线访问第一存储单元；以及，使用第一电压将数据存储在第一存储单元中，或者在小于参考写入时间间隔的内部写入时间间隔期间使用大于第一电压的第二电压执行内部写入操作，以将计数数据存储在第一存储单元中。

公开(公告)号：CN1988034B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610168685.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄炯烈 ,  朴祥均

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/1075 ,  G11C8/16

Abstract: 半导体存储器件包括多个端口，存储器单元阵列的至少一个共享存储区域经由所述端口可访问，并且数据传输控制器耦合到所述共享存储区域和所述端口。该数据传输控制器被配置来，当与写入操作相关联的写入地址的至少一部分和与读取操作相关联的读取地址的至少一部分基本上相等时，在写入操作的写入命令之后、在施加任何其它的命令到共享的存储区域之前，施加读取操作的读取命令到共享的存储区域。

公开(公告)号：CN1988033A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610166966.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南钟 ,  李镐哲 ,  权敬桓 ,  黄炯烈 ,  安孝珠

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/08

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/1075 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/26 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/1802

Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。

公开(公告)号：CN1384506A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02102056.6

申请日：2002-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄炯烈 ,  崔钟贤 ,  张贤淳

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40622 ,  G11C7/1018 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4087

Abstract: 用于执行PASR(部分阵列自更新)操作的系统和方法,其中在半导体存储装置中的包括一单元阵列的一个或多个所选择的存储体的一部分(即,1/2,1/4,1/8,或1/16)上执行用于再充电所存储的数据的更新操作。一方面,通过(1)在自更新操作期间通过行地址缓冲器控制行地址的产生和(2)控制一自更新周期产生电路以调整其自更新周期输出来执行PASR操作。该自更新周期是以在PASR操作期间提供降低电流消耗的方式来调整的。另一方面,通过在自更新操作期间控制相应于部分单元阵列的一个或多个行地址来执行PASR操作,从而通过禁止一存储体的未使用存储区的激活实现了降低自更新电流的消耗。