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公开(公告)号：CN117457047A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310771675.5
申请日：2023-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4078 , G11C11/4096 , G11C7/22 , G11C7/24
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；以及行锤击管理电路。行锤击管理电路将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且执行内部读取‑更新‑写入操作，以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。行锤击管理电路包括锤击地址队列。行锤击管理电路基于指示锤击地址队列的状态改变的事件信号，随机地改变更新后的计数数据。
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公开(公告)号：CN117275540A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310698826.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在所述半导体存储器装置的上电序列期间自动地将随机计数数据存储在多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于来自外部存储器控制器的激活命令通过对与所述多个存储器单元行中的每个相关联的访问的次数进行计数来确定计数值，并且将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中。刷新控制电路接收锤击地址，并且对所述多个存储器单元行中的物理邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个存储器单元行执行锤击刷新操作。
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公开(公告)号：CN107887360B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710066240.5
申请日：2017-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和与有效表面相对的无效表面，有效表面上设置有连接焊盘；包封件，密封所述无效表面的至少一部分；第一连接构件，设置在所述有效表面上，并且包括重新分布层和将连接焊盘电连接到重新分布层的第一通路；钝化层，设置在第一连接构件上；凸块下金属层，包括设置在钝化层上的外连接焊盘和将外连接焊盘连接到重新分布层的第二通路。在竖直方向上，第一通路和第二通路设置在外连接焊盘以内，并且彼此不重叠。
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公开(公告)号：CN101526200B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200810094753.8
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L33/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V29/51 , F21K9/00 , F21V29/004 , F21V29/74 , F21V29/75 , F21V29/83 , F21V29/89 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明涉及LED照明装置的散热件以及使用该散热件的LED照明装置。提供了LED照明装置，其包括：安装有LED芯片的印刷电路板；以及设置在印刷电路板背面上的散热件，其中，该散热件包括：散热管，垂直地附着到印刷电路板的中心；散热片，围绕散热管并以预定的间隔附着到印刷电路板；散热盘，设置在散热片的下方并以预定的间隔沿散热管配置；以及散热件壳体，用于覆盖散热件。
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公开(公告)号：CN119068940A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410683819.6
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C11/403
Abstract: 示例存储器设备包含存储单元阵列、行锤管理电路及读取‑修改‑写入(RMW)驱动器。存储单元阵列包括多个存储单元行，并且存储用于对每个存储单元行的访问次数的计数数据。行锤管理电路执行RMW操作，所述RMW操作读出对应于存储单元行当中的目标存储单元行的计数数据，更新读出的计数数据，且将更新的计数数据写入存储单元阵列中。RMW驱动器基于预充电命令生成控制信号以控制RMW操作。在从施加预充电命令的时间点起经过预定时间之后，对目标存储单元行进行预充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444539A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201811581373.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/552 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：支撑构件，具有第一表面和第二表面并具有通孔；用于屏蔽的第一金属层，设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上；连接构件，设置在所述支撑构件的所述第一表面上，并具有重新分布层；半导体芯片，设置在所述通孔中；包封剂，密封位于所述通孔中的所述半导体芯片，并覆盖所述支撑构件的所述第二表面；用于屏蔽的第二金属层，设置在所述包封剂上，并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层；以及加强过孔，设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域中，并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。
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公开(公告)号：CN118335169A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311694517.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件及其操作方法。所述存储器件包括：ECC电路，对输入数据执行ECC编码以生成写入数据；以及存储单元阵列，包括存储所述写入数据的多个存储单元。所述ECC电路包括：数据拆分器，将所述输入数据拆分成第一子数据和第二子数据；第一ECC编码器，对所述第一子数据执行ECC编码以生成第一子奇偶校验数据；第二ECC编码器，对所述第二子数据执行ECC编码以生成第二子奇偶校验数据；以及数据加扰器，基于所述存储单元阵列的结构对所述第一子数据、所述第二子数据、所述第一子奇偶校验数据和所述第二子奇偶校验数据执行数据加扰操作以生成所述写入数据。
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公开(公告)号：CN110444539B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201811581373.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/552 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , H10B80/00
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：支撑构件，具有第一表面和第二表面并具有通孔；用于屏蔽的第一金属层，设置在所述通孔的内侧壁以及所述支撑构件的所述第一表面和所述第二表面上；连接构件，设置在所述支撑构件的所述第一表面上，并具有重新分布层；半导体芯片，设置在所述通孔中；包封剂，密封位于所述通孔中的所述半导体芯片，并覆盖所述支撑构件的所述第二表面；用于屏蔽的第二金属层，设置在所述包封剂上，并通过穿透所述包封剂的连接槽过孔连接到所述用于屏蔽的第一金属层；以及加强过孔，设置在所述支撑构件的与所述连接槽过孔重叠的区域中，并连接到所述用于屏蔽的第一金属层。
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公开(公告)号：CN117457044A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310917156.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/409
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击管理电路；以及控制逻辑电路。行锤击管理电路基于在第一时间点施加到控制逻辑电路的激活命令将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于在第一命令被施加到控制逻辑电路之后在第二时间点施加的预充电命令来执行内部读取‑更新‑写入操作，以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。
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公开(公告)号：CN117316231A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310721706.6
申请日：2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C11/4074
Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件和包括该半导体存储器件的存储器系统。该半导体存储器件包括：存储单元阵列；行锤击管理电路，该行锤击管理电路被配置成：基于激活命令来对访问次数进行计数，以及基于激活命令之后施加的第一命令，执行内部读取‑更新‑写入操作，以从目标存储单元行的计数单元中读取计数数据、以及以将所更新的计数数据写入目标存储单元行的计数单元中；以及列译码器，该列译码器被配置成：使用第一位线访问第一存储单元；以及，使用第一电压将数据存储在第一存储单元中，或者在小于参考写入时间间隔的内部写入时间间隔期间使用大于第一电压的第二电压执行内部写入操作，以将计数数据存储在第一存储单元中。
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