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公开(公告)号：CN1744783A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099608.5
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造用于激光诱发热成像(LITI)工艺的供体基板的方法。该方法包括：制备供体基板的基底基板；在基底基板上形成光热转换层；在光热转换层上形成缓冲层；通过处理缓冲层的表面增加缓冲层的表面粗糙度；和在经表面处理的缓冲层上形成转印层。通过使用供体基板，在制造OLED期间可以更好地进行构图工艺。
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公开(公告)号：CN1622725A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410097428.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L51/56 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种用于激光转印的施主衬底，包括：基薄膜；形成在所述基薄膜上的光－热转化层；以及形成在所述光－热转化层上的转印层。所述转印层包括热固电致发光材料，并且使用所述转印衬底制造有机电致发光显示器件。由此，在激光转印后通过热固化工艺简单地形成具有精细图案的R、G、B发射层。结果，未破坏发射层，并且由于简化的掩模工艺的应用，降低了全色有机电致发光显示器件的制造成本。所述施主衬底在用于制造大尺寸有机电致发光显示器件时具有优势。
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公开(公告)号：CN1622724A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410097410.9
申请日：2004-11-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/38214 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 用于激光感应热成像方法的施主衬底和用该施主衬底制造的场致发光显示装置，并且通过提供用于激光感应热成像的施主衬底而提供具有保护转移层免受过高热量的优良的发射层特性的一个有机场致发光显示装置，该施主衬底包括基底衬底、形成在该基底衬底的上部上的光－热转换层；以及形成在该光－热转换层的上部并且由有机材料组成的一个转移层，其中包含在该光－热转换层以通过吸收激光生成热的光吸收材料在该光－热转换层中的从基底衬底侧到转移层侧的方向上具有一个聚集梯度；以及使用该施主衬底制造的有机场致发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1423513A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02152610.9
申请日：2002-11-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0013 , H01L51/56 , H01L2251/558 , Y10T428/24851 , Y10T428/26
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光显示器及其制造方法。该显示器包括一个形成在衬底上的底层；一个形成在衬底上以暴露底层的绝缘层；和形成在底层的暴露部分上的有机EL层,其中,绝缘层的厚度得以形成至预定厚度,以避免有机EL层中可能会出现在暴露部分的边缘部分中的缺陷。
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公开(公告)号：CN101372736A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810214020.3
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 一种坩埚加热装置和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。该坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在所述主体并具有喷嘴的盖；带，其通过接触部分与所述坩埚相连；热电偶，其与所述带相连；壳体，其用于容纳所述坩埚和所述带；和加热器，其设置在所述壳体内部，用于加热所述淀积材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100448063C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410082067.0
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B23K26/066 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供激光照射装置和使用该装置制造有机发光显示器的方法。激光照射装置包括位于激光发生器下面的掩模，掩模构图为沿扫描方向掩模图案的上部和下部的长度构图为长于掩模中部的长度。制造有机发光显示器的方法包括使用激光照射装置在供体衬底预定区域上扫描激光束，在衬底上形成有机层图案。当使用激光致热成像(LITI)方法形成有机层图案时，用低能量激光进行转移，可以提高激光束效率，减少有机层受损伤，并且可以提高转移的有机层图案的质量。
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公开(公告)号：CN100448062C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410035079.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L51/0003 , H01L51/0009 , H01L51/5246
Abstract: 本发明公开一种具有位于阴极触点和密封接合区域上的辅助层以便容易地去除结的聚合物有机层的有机电致发光显示器及其制造方法。该有机电致发光显示器具有形成在下部绝缘衬底上的第一电极；被形成用来使得第一电极的某些部分开口在下部绝缘衬底的整个表面上的像素定义层；形成在第一电极的开口上的有机发射层；形成在有机发射层上的第二电极；用于密封第一电极、有机发射层和第二电极的顶部衬底；以及形成在下部绝缘衬底的阴极触点和密封接合区域上的辅助层。
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公开(公告)号：CN1293783C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN01135731.2
申请日：2001-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009
Abstract: 在一种用于制造有机电致发光显示器的方法里，在透明的衬底上形成第一电极层，并且在第一电极层上形成空穴传输层。使用激光束扫描设置在衬底上的供体膜而在空穴传输层上形成有机发光层后，移走供体膜并且接着在有机发光层上形成第二电极层。执行扫描操作期间激光束振动来使能量分布均匀。
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公开(公告)号：CN1792639A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510051859.6
申请日：2005-01-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013
Abstract: 本发明公开了一种激光转写装置、激光转写方法和使用该装置制造有机发光显示器的方法。该激光转写装置包括用于固定受体基底的卡板，用于将供体薄膜层压在受体基底上的层压单元位于卡板上。层压单元包括具有空腔的主体、用来将压缩气体注入到空腔中的气体注入口以及用于将注入到空腔中的气体排到基底上的气体排出口。用于使激光光束穿过层压单元照射到被层压的供体薄膜上的激光辐射器位于层压单元上。本装置可在供体薄膜与受体基底之间获得足够的接触力而在供体薄膜的转印层与受体基底之间不产生摩擦力。
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公开(公告)号：CN1769067A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113844.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 姜泰旻
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开了基板支撑框架、包括该框架的基板支撑框架组件、使用所述框架框住基板的方法、使用所述基板支撑框架组件制备施主基板的方法、以及使用所述施主基板制备有机发光显示器(OLED)的方法，它们每个都包括这样的基板支撑框架：包括开口的主体；从所述主体的上表面的至少两侧突出的多个销；以及分别向所述主体之外按压所述多个销的外压单元。
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