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公开(公告)号：CN1975542A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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公开(公告)号：CN1577418A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1573843A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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公开(公告)号：CN1536542A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200310124059.3
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/7866
Abstract: 一种平板显示器，它能够降低驱动薄膜晶体管(TFT)的开态电流，保持开关TFT的高开关性质，用驱动TFT保持均匀的亮度，以及在相同的电压被施加到开关TFT和驱动TFT而不改变有源层的尺寸的情况下保持发光器件的寿命。此平板显示器包括发光器件、包括具有用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层的开关薄膜晶体管、以及包括具有用来驱动发光器件的沟道区的半导体有源层的驱动薄膜晶体管。预定的电流量根据数据信号而流过发光器件。开关薄膜晶体管的沟道区的晶粒的尺寸或形状之一不同于驱动薄膜晶体管的沟道区中的晶粒。
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公开(公告)号：CN100428525C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410089990.7
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3244
Abstract: 提供了一种含有改良孔径比的显示像素的有机EL显示板。显示像素包括耦合到第一和第二晶体管的控制电极以及第四晶体管的主电极的控制电极线，和基本上平行于数据线并耦合到第一晶体管的主电极的电源电极线。第一和第二晶体管的沟道基本上平行于扫描线形成。用于耦合第一和第二晶体管的控制电极的控制电极线的部分布置在基本上垂直于扫描线方向的方向上，并且延伸到第四晶体管主电极的控制电极线的一部分在基本竖直的方向上基本上平行于电源电极线形成，并与电源电极线一起形成电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100378781C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410089635.X
申请日：2004-10-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0238
Abstract: 提供一种包括像素电路的有机场致发光(EL)显示面板。该像素电路包括第一晶体管、第二晶体管和显示元件。所述第一晶体管具有控制电极和主电极，并输出与在所述控制和主电极之间提供的至少一个电容器中充电的电压对应的电流。所述第二晶体管具有被耦合到第一晶体管的控制电极的第二控制电极。所述第二晶体管被连接成二极管。所述显示元件显示与由第一晶体管输出的电流量对应的图像数据。在用于将一预充电电压施加到第一晶体管控制电极的第一周期期间以及在用于将所述数据电压施加到第一晶体管的控制电极的第二周期期间，所述第一晶体管与所述显示元件被解除电耦合。
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公开(公告)号：CN1921124A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610110090.5
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1661774A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 一种柔性平板显示器，其中毫微粒子用于活性层并且衬底是柔性塑料，一种制造所述柔性平板显示器的方法，一种使用施主薄片制造薄膜晶体管(TFT)的方法，以及一种使用施主薄片制造平板显示器的方法。在制造显示器内的TFT中，施主薄片用来把毫微粒子从薄片转移到衬底。所述施主薄片可以在室温下制造。所述施主薄片具有底膜和转移层，所述转移层排列在所述底膜的一个侧面上并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的毫微粒子。
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公开(公告)号：CN1624886A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410095345.6
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , G09G3/38 , H05B33/00
CPC classification number: H01L21/76895 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842
Abstract: 一种用于制造晶体管的方法，包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成栅电极。本方法还包括：在半导体层中形成源极区域、沟道区域和漏极区域；在栅电极上形成第二绝缘膜。在第二绝缘膜上形成源电极和漏电极，并且分别耦合至源极区域和漏极区域。本方法还包括：通过接触孔将漏电极耦合至栅电极，该接触孔垂直地处于沟道区域的上方。
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