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公开(公告)号：CN1324540C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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公开(公告)号：CN1983571A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166982.7
申请日：2006-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L29/786 , H01L27/32 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84 , C30B29/06
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L27/1277
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅层，一种使用所述多晶硅层的平板显示器及其制造方法。所述多晶硅层通过使用超晶粒硅结晶(SGS)技术结晶非晶硅层的籽晶区而形成。所述籽晶区的结晶度扩散入籽晶区之外的结晶区。所述结晶区形成为可以被结合以制成驱动平板显示器的薄膜晶体管的半导体层。用本发明的方法制成的所述半导体层提供了一致的晶界的生长，并且改善了由所述半导体层制成的薄膜晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN1975542A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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公开(公告)号：CN1734787A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410094226.9
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层，继而形成覆盖层和金属催化剂层；进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层；以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1719615A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200410075888.1
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/923
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜－15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。
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公开(公告)号：CN1619836A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410092219.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L29/78675
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间并具有不同于第一晶粒的晶体特性的第二晶粒。
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公开(公告)号：CN1619607A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410089773.8
申请日：2004-11-04
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G02F1/13624 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/1285 , H01L27/3244
Abstract: 公开了一种平板显示器及其制造方法。在平板显示器中，衬底包括具有多个单位象素的象素区域，和位于象素区域周围的外围电路区域。外围电路区域还包括用于驱动多个单位象素的驱动电路。至少一个电路薄膜晶体管位于外围电路区域，并且包括由顺序横向凝固方法结晶而成的第一半导体层。至少一个象素薄膜晶体管位于象素区域，并且包括具有由金属诱导结晶方法或者金属诱导横向结晶方法之一结晶而成的沟道区的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1577418A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1573843A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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