公开(公告)号：CN119816786A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380053980.9

申请日：2023-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中根由太 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。

公开(公告)号：CN119585843A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054380.4

申请日：2023-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一个的工序。

公开(公告)号：CN117769755A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280052235.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  桧森慎司 ,  本田昌伸 ,  照内怜

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。

公开(公告)号：CN116072538A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211308033.3

申请日：2022-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川慎也 ,  小野健太 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧面延伸出到蚀刻对象膜的上表面的至少一部分的延伸部；工序(b)，在掩模膜的至少侧面形成沉积膜；以及工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对沉积膜的一部分进行蚀刻来使沉积膜的厚度减少，其中，第一处理气体包含用于对蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，执行工序(c)直到在深度方向上蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得延伸部被去除为止。

公开(公告)号：CN113823559A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110654318.1

申请日：2021-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野健太 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。

公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113169066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN112509920A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010914258.8

申请日：2020-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  中根由太 ,  石川慎也

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。

公开(公告)号：CN111261514A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN110517953A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910425734.7

申请日：2019-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蒂莫西·启昂雄·杨 ,  森北信也 ,  伊藤清仁 ,  中谷理子 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，防止在蚀刻形状中产生偶奇差。所述基板处理方法包括以下工序：向在被蚀刻对象膜之上的光致抗蚀剂的图案的侧壁形成的含硅膜之间的凹部埋入有机膜；以及以选择比大致为1：1的条件对所述有机膜和所述含硅膜进行蚀刻或溅射。