公开(公告)号：CN106048527A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610405808.7

申请日：2016-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吴敬 ,  黄志明 ,  周炜 ,  江林 ,  欧阳程 ,  高艳卿 ,  张飞 ,  褚君浩

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01C7/04

CPC classification number: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01C7/041 ,  H01C7/043

Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。

公开(公告)号：CN215377428U

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202121001701.9

申请日：2021-05-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 高艳卿 ,  黄志明 ,  马万里 ,  周炜 ,  姚娘娟 ,  江林 ,  邱琴茜 ,  李敬波 ,  石艺

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0272 ,  G01J1/42

Abstract: 本专利公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属‑半导体‑金属结构，半导体选用碲纳米片材料，选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz，172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs，响应率高达600kV/W，在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pW/Hz0.5。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后，响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。

公开(公告)号：CN209929328U

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201920708747.0

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  胡涛 ,  张惜月 ,  张志博 ,  吴敬 ,  江林

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G01J5/00 ,  G01J5/20

Abstract: 本专利公开了一种基于硅介质结构的增强型红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，硅介质结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。在传统热敏薄膜型探测器的基础上，通过在锰钴镍氧敏感元表面，引入特定图案的硅介质结构层，达到增强敏感元在红外波段的宽带吸收的目的，从而使探测器的响应率和探测率进一步提升。本专利设计的器件制备工艺简单，可实现红外波段的宽带增强探测，对于探测器的性能改善和提升具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209927303U

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201920711978.7

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  李敬波 ,  吴敬 ,  高艳卿 ,  周炜 ,  姚娘娟 ,  江林 ,  马建华 ,  黄敬国

IPC: G01J5/20

Abstract: 本专利公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁材料层到反铁磁材料层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该专利利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210071148U

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201920711972.X

申请日：2019-05-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  胡涛 ,  张惜月 ,  张志博 ,  吴敬 ,  江林

IPC: G01J5/20

Abstract: 本专利公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本专利制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本专利设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206142814U

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201621119724.9

申请日：2016-10-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 黄志明 ,  张飞 ,  周炜 ,  吴敬 ,  黄敬国 ,  高艳卿 ,  曲越 ,  孙雷 ,  江林 ,  姚娘娟 ,  褚君浩

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/20

Abstract: 本专利公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。