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公开(公告)号：CN114388479A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011140791.X
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
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公开(公告)号：CN114355731A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN114355729A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090398.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶涂布设备及涂胶显影系统，其中，光刻胶涂布设备包括载台、驱动装置、供胶装置和第一柔性热电模块，其中，载台用于放置待涂布的晶圆；驱动装置与载台连接以带动载台旋转；供胶装置包括用于输送光刻胶的光刻胶管路；第一柔性热电模块用于调节温度，第一柔性热电模块与光刻胶管路连接。本发明提出的光刻胶涂布设备利用第一柔性热电模块对供胶装置的温度进行调节，避免了利用恒温水调温导致的安装不便以及泄露隐患，第一柔性热电模块不仅节省安装空间，而且提高了调温效果。
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公开(公告)号：CN114253092A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019884.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。
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公开(公告)号：CN112731773A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011623770.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机、调焦方法及装置，通过增设光学聚焦测试装置，将探测光照射到所述待曝光样品的当前曝光单元内，并采集所述当前曝光单元对应的反射光图像，然后基于当前曝光单元对应的反射光图像，得到当前曝光单元的位置信息，进而根据该位置信息调整当前曝光单元电子束曝光的焦点位置。这样能够有效地提高电子束曝光机的调焦准确性，有利于减小束斑尺寸，提高电子束曝光的分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112017999A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010762993.1
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，晶圆清洗设备包括支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件、清洗液喷嘴和控制器，支撑盘用于放置和吸附待清洗的晶圆，转轴与支撑盘连接并能够带动支撑盘旋转；位置检测器用于检测和判断晶圆是否偏离设定位置；调整组件用于移动晶圆以调整晶圆的位置；清洗液喷嘴用于向晶圆喷涂清洗液；控制器分别与支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件以及清洗液喷嘴信号连接，用于接收位置检测器反馈的信号，以及控制支撑盘、转轴、调整组件以及清洗液喷嘴动作。本发明公开的晶圆清洗设备能够避免晶圆在清洗时因初始位置误差引起的晶边清洗宽窄不对称，进而避免了在后续工艺过程中造成缺陷，提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN111905989A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010821046.5
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种高粘度光刻胶的涂胶方法，包括以下步骤：真空吸盘带动所述晶圆旋转；滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶，接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动；所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。本申请通过先边缘后中心的滴胶方法，使得高粘度光刻胶的涂敷更加均匀；且可以节省光刻胶用量。
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公开(公告)号：CN111900161A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010596845.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其金属硅化物分离结构的制造方法，包括：提供一包括第一NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底；在PMOS器件区上形成第一阻挡层，以露出第一NMOS器件区；在露出的第一NMOS器件区的表面形成第一金属硅化物层；在第一NMOS器件区上形成第二阻挡层，以露出PMOS器件区；在露出的PMOS器件区的表面形成第二金属硅化物层。通过使用两次阻挡层，选择性的分离NMOS器件区和PMOS器件区，使得能够在第一NMOS器件区和PMOS器件区的表面形成具备不同的表面电阻的金属硅化物结构。
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公开(公告)号：CN111830793A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010575069.2
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111430226A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010281348.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。
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