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公开(公告)号：CN113823549B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010566943.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。
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公开(公告)号：CN114355731B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN117912937A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311800021.7
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明公开一种自对准双重图形化的方法、半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，以简化现有的SADP工艺的步骤，降低工艺成本。所述自对准双重图形化的方法包括：在基底上依次形成硬掩模层和电子束负胶层。通过电子束对电子束负胶层进行曝光显影处理，在电子束负胶层上形成多个牺牲芯轴。在多个牺牲芯轴的外周形成光刻胶层。基于预设掩模版对光刻胶层进行灰度光刻处理，在每个牺牲芯轴的侧壁形成多个对应的目标牺牲墙结构。基于多个目标牺牲墙结构对硬掩模层进行刻蚀处理，在硬掩模层上形成目标图形。所述半导体器件包括至少一个图形化结构，所述图形化结构采用上述技术方案所提的自对准双重图形化的方法制作形成。
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公开(公告)号：CN113496908B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010270702.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备，包括如下步骤：提供一个半导体器件组；根据检查规则检测所述半导体器件组，使得所述半导体器件组中的各个半导体器件的检测步骤数量均一化。其中各个检测步骤组中的某两个或者多个检测步骤，不会都测量同一个半导体器件组中的同一个半导体器件。这种情况下，检测步骤组中的其他检测步骤则被省略。对于每个检测步骤，根据该检测步骤的预设检查概率，当该检测步骤被连续两个以上的半导体器件排除时，在下一个半导体器件执行该检测步骤。本公开的优点在于，使每个半导体器件组的测量次数均一化；使每个半导体器件组的整体工艺时间均一化。
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公开(公告)号：CN117724296A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754339.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种光刻方法、半导体结构以及电子设备，涉及光刻技术领域，以提供一种能够保证台阶处不产生气泡，且能够保证光刻胶厚度均匀的技术方案。包括以下步骤：提供衬底，并利用稀释液浸润所述衬底；在利用稀释液浸润后的所述衬底上形成光刻胶；在预设温度范围和预设时长内，对形成有所述光刻胶的衬底进行处理，以使所述衬底上所述光刻胶中的有机溶剂进行挥发，其中，所述预设温度范围小于或等于60°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117000718A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210460734.2
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于清洗设备技术领域，具体涉及一种石英管清洗设备。本申请中的石英管清洗设备包括机体、安装座和至少一个供给管，安装座设于机体内，供给管包括第一管部和第二管部，第二管部与安装座相连，第一管部套设于第二管部的内部，第一管部能够在压力作用下沿第二管部的轴向方向运动，第一管部设有至少一个第一喷孔，且第一喷孔与第一管部的轴向方向成角度设置。根据本申请中的石英管清洗设备，能够有效地对石英管的内壁面进行清洗，同时使石英管的内壁面各位置的清洁度保持一致。
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公开(公告)号：CN114054288B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010761685.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN112071685B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010702042.5
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
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公开(公告)号：CN116072540A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211488838.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种正方形氧化硅纳米孔的制备方法，包括S1，提供一衬底晶圆，在衬底晶圆的表面形成SiO2介质层；S2，在SiO2介质层表面依次旋涂SOC和SiBarc，分别形成SOC掩膜层和SiBarc掩膜层；S3，在SiBarc掩膜层表面涂覆光刻胶，并对光刻胶曝光、显影，以阵列形成圆形通孔；S4，刻蚀SiBarc掩膜层，在SiBarc掩膜层上形成圆形通孔；S5，刻蚀SOC掩膜层，在SOC掩膜层上形成圆形通孔；S6，刻蚀SiO2介质层，在SiO2介质层阵列形成正方形通孔。以ICP光刻机设备或其他简单的制备方式，以SOC作为硬掩膜，利用常规光刻工艺形成圆孔图形阵列，通过与刻蚀氧化硅时特殊的等离子体作用，即制得正方形纳米通孔，工艺简单，适合大规模应用。
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公开(公告)号：CN111999987B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010821044.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法，包括以下步骤：提供器件版图；根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量‑各设计尺寸的对应关系；根据曝光剂量‑设计尺寸的对应关系，根据待曝光的晶圆的设计尺寸施加对应的曝光剂量。
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