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公开(公告)号：CN114253092B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202011019884.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。
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公开(公告)号：CN117908335A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311697079.3
申请日：2023-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , G03F7/40 , G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种深紫外光刻方法、光刻图形以及半导体结构，涉及深紫外光刻技术领域，以提供一种当衬底具有较高的台阶时，采用深紫外光刻工艺仍能正常进行曝光技术方案。包括以下步骤：当所述深紫外光刻的景深小于所述衬底的台阶的高度时，将待光刻图形按照所述台阶的分布情况分为至少两个部分；其中，每个所述部分对应于所述台阶的阶上图形或台阶下图形；将所述待光刻图形的至少两个部分的一一对应到至少两块掩膜版上；依次对所述至少两块掩膜版进行曝光后，将曝光后的至少两块掩膜版同时进行烘烤和显影。
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公开(公告)号：CN114563837B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011364143.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种透射窗以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：窗本体，所述窗本体为板状，所述窗本体上均匀设置有多个透射区域；其中，至少所述透射区域的内侧面为凹面结构。在上述技术方案中，透射窗上划分出了多个透射区域，且将每个透射区域的结构均制造成凹面结构，当垂直透射的光线经过该透射区域以后，折射为分散的光线，从而能够使垂直光线经过凹面镜以后，在另一侧更加分散的透射出来，进而消除因烘烤灯排布所形成的间距，使烘烤灯经过透射窗透射至晶圆上时，可以对晶圆形成均匀的烘烤，不会造成间距位置无法烘烤的问题。
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公开(公告)号：CN117038440A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210467779.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种栅极氧化层制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极沟槽；在同一设备中进行原子层沉积工艺和自由基氧化工艺以原位方式在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成栅极氧化层，简化了工艺步骤，解决了栅极氧化层的界面污染以及厚度变薄的问题。
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公开(公告)号：CN111830793B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010575069.2
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114737255B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110019365.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
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公开(公告)号：CN115945367A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211526050.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种涂胶方法和电子设备，其中，涂胶方法应用于涂覆表面开设有槽的器件，包括：使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层；使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽；使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层；对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。本发明能够避免烘烤后在槽口处有气泡的产生，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN114035407B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111282798.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。使得本申请所制备得到的T形结构的底部角度较大，可以保证在溅射工艺过程中金属薄膜不能沉积在光刻胶侧壁，进一步保证了光刻胶可以完全剥离干净。
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公开(公告)号：CN111905988B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010819906.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种光刻胶的涂胶方法，包括以下步骤：硅片保持静止，控制喷胶装置移动至硅片的第一位置；控制所述硅片旋转，所述喷胶装置向所述硅片喷射光刻胶，加速所述硅片的旋转，所述硅片至少在预设时间段内的旋转速度以脉冲的方式变化。本申请将硅片的旋转速度以脉冲的方式变化，这样硅片边缘的气流更加均匀，使得涂胶的均匀性更好，避免风纹的形成。
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公开(公告)号：CN112090890B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010752074.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。
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