含硅层形成组合物和使用其制造带图案的基板的方法

    公开(公告)号:CN111801621A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201980015743.7

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 本发明提供一种含硅层形成组合物,其用于形成在多层抗蚀法中的曝光时具有防反射功能,在干蚀刻时对于氟系气体的等离子体的蚀刻速度快且对于氧系气体的等离子体的蚀刻速度慢的含硅层。一种含硅层形成组合物,其包含:含有式R数(12)m。所S波iO示浪n/结线2n构/表2]单示(1元)交[的式叉聚中的硅,线R氧段1烷为为化下结合式合物所键(示。A)的)R以基2各及团自溶。(独剂a(为立B1地)~。为[5(的氢R1整原)b子、碳原子数1以上且3以下的烷基、苯基、羟基、碳原子数1以上且3以下的烷氧基、或者碳原子数1以上且3以下的氟烷基,b为1~3的整数,m为0~2的整数,n为1~3的整数,b+m+n=4。]

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