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公开(公告)号：CN102668030A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180004269.1
申请日：2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02529 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 第一单晶碳化硅衬底(11)的第一顶点(P1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二顶点(P2)彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底(11)的第一边(S 1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二边(S2)对准。另外，第一边(S 1)的至少一部分和第二边(S2)的至少一部分与第三单晶碳化硅衬底(13)的第三边(S3)邻接。因此，在制造包括复合衬底的半导体器件中，能够抑制由单晶碳化硅衬底之间的空隙而引起的工艺波动。
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公开(公告)号：CN110214362B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780084634.1
申请日：2017-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中偏离角为θ°，在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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公开(公告)号：CN111051581B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880055130.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
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公开(公告)号：CN107109694B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580069705.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN110214362A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201780084634.1
申请日：2017-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中偏离角为θ°，在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107208309A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680004997.5
申请日：2016-01-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/02 , C30B23/066 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B35/002 , C30B35/007
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：将碳化硅原料填充到坩埚中的步骤(S01)，所述碳化硅原料的流动性指数为70以上且100以下；和通过加热所述碳化硅原料而使所述碳化硅原料升华的步骤(S02)。
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公开(公告)号：CN107109694A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069705.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN105358744A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480037439.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
Abstract: 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。
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公开(公告)号：CN104350187A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380030120.X
申请日：2013-06-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02645 , H01L21/02664
Abstract: 根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而在种基板(1)的主面(1A)上成长碳化硅晶体(11)。从而可以提供制造具有少量位错的碳化硅基板的方法，其中，抑制了种基板(1)的主面(1A)中的位错的增加。
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公开(公告)号：CN102576659A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180004270.4
申请日：2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。
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