公开(公告)号：CN102959709B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

公开(公告)号：CN102934210A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180004586.3

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 公开了一种制造具有提高的性能的SiC半导体器件的方法。公开的制造SiC半导体器件的方法涉及下述步骤。制备SiC半导体，其具有第一表面，该第一表面的至少一部分被注入有杂质（S1-S3）。通过清洗SiC半导体的第一表面，形成第二表面（S4）。在第二表面上，形成含Si膜（S5）。通过氧化含Si膜，形成构成SiC半导体器件的氧化物膜（S6）。

公开(公告)号：CN102782823A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011867.1

申请日：2011-10-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  原田真 ,  玄番润 ,  藤川一洋

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 缓冲层（31）设置在衬底（30）上，由包含杂质的碳化硅制成，并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层（32）设置在缓冲层（31）上，并且由具有比缓冲层（31）的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式，能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层（32）的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN102576659A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201180004270.4

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。

公开(公告)号：CN102986009B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180004388.7

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  伊藤里美 ,  日吉透

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法，所述方法包括：在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4)；除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)；以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间，将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。

公开(公告)号：CN102986009A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180004388.7

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  伊藤里美 ,  日吉透

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法，所述方法包括：在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4)；除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)；以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间，将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。

公开(公告)号：CN102782820A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180004782.0

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊藤里美 ,  盐见弘 ,  并川靖生 ,  和田圭司 ,  岛津充 ,  日吉透

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件（200）的方法，该方法包括：制备包括第一表面（100a）的碳化硅半导体（100）的步骤，该第一表面（100a）至少部分地注入有杂质；通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体（100）的第一表面（100a）进行干法刻蚀，来形成第二表面（100b）的步骤；以及在所述第二表面（100b）上形成构成所述碳化硅半导体器件（200）的氧化膜（126）的步骤。

公开(公告)号：CN102668030A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180004269.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信 ,  伊藤里美 ,  并川靖生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 第一单晶碳化硅衬底(11)的第一顶点(P1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二顶点(P2)彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底(11)的第一边(S 1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二边(S2)对准。另外，第一边(S 1)的至少一部分和第二边(S2)的至少一部分与第三单晶碳化硅衬底(13)的第三边(S3)邻接。因此，在制造包括复合衬底的半导体器件中，能够抑制由单晶碳化硅衬底之间的空隙而引起的工艺波动。

公开(公告)号：CN102597338A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004372.6

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  伊藤里美 ,  原田真 ,  佐佐木信

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/187 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅衬底，其能够减少使用该碳化硅衬底的半导体器件的制造成本，以及该碳化硅衬底的制造方法。具体地，一种碳化硅衬底的制造方法，包括：制备(S10)每个均由碳化硅(SiC)构成的多个单晶体(1)的步骤；形成(S20)集合体的步骤；将单晶体彼此连接(S30)的步骤；以及对集合体进行切片(S60)的步骤。在步骤(S20)中，通过布置多个SiC单晶锭并且其间插入有包含Si的硅(Si)层，以形成单晶体的集合体。在步骤(S30)中，通过加热集合体将所述至少一部分形成为碳化硅，并且经由Si层中被形成为碳化硅的该部分将相邻的SiC单晶锭彼此连接。在步骤(S60)中，对其中SiC单晶锭彼此连接的集合体进行切片。

公开(公告)号：CN102549723A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201180004060.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  宫崎富仁 ,  日吉透 ,  伊藤里美 ,  盐见弘

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明公开了一种SiC半导体(2)的清洗方法，包括：在SiC半导体(2)的表面(2a)处形成氧化膜的步骤；和去除该氧化膜的步骤。在形成氧化膜的步骤，使用浓度大于或等于30ppm的臭氧水形成氧化膜。形成步骤优选地包括加热SiC半导体(2)的表面(2a)和臭氧水中的至少一个。因而，可以得到能够表现出对SiC半导体(2)的清洗效果的SiC半导体的清洗方法。