公开(公告)号：CN116469965A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310551759.8

申请日：2023-05-17

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  周鑫 ,  邓梦晗 ,  张金中 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种全氧化镓p‑n结及其制备方法，能够在不同激光功率密度下实现快速紫外响应，所制备的全氧化镓p‑n结以镁掺杂氧化镓作为p型材料，本征氧化镓作为n型材料。制备过程如下：首先，在(0001)晶向的蓝宝石衬底上制备p型镁掺杂氧化镓薄膜；在此基础上，制备n型本征氧化镓薄；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成全氧化镓p‑n结的制备。本发明所制备的全氧化镓p‑n结具有快速紫外响应，能够在无外偏置电压下自供电工作。

公开(公告)号：CN114188475A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111390963.3

申请日：2021-11-23

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 胡志高 ,  李明 ,  周鑫 ,  李树兵 ,  侯张晨 ,  王林 ,  张金中 ,  姜凯 ,  商丽燕 ,  李亚巍 ,  褚君浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压，以低制造成本实现了高性能，同时增加了整体器件的平整度和可靠性。

公开(公告)号：CN113299558A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110566791.4

申请日：2021-05-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张金中 ,  胡志高 ,  熊浩 ,  徐丽萍 ,  褚君浩

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/788 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种二硫化铪为沟道的浮栅结构晶体管及其制备方法，所述浮栅结构晶体管以石墨烯为浮栅，氮化硼为隧穿层，二硫化铪作为沟道。其制备方法为机械剥离法。首先用英格兰胶带从石墨烯二维材料块材上剥离薄膜材料，将附着有二维薄膜材料的胶带对准粘到剥离专用热释放胶带上，再利用光学显微镜选择均匀且厚度合适的层状二维材料，然后利用此方法依次剥离氮化硼和二硫化铪，并按照剥离顺序依次转移到硅/二氧化硅衬底上。最后利用电子束光刻技术和热蒸发镀膜仪在硫化铪两端制备镍/金电极。本发明制备的浮栅结构晶体管不仅实现了二维浮栅结构，具有非易失性存储性能，能够同时灵敏存储光信息与电信息，而且制备的晶体管迁移率高，开关比大。

公开(公告)号：CN108281504A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810014353.5

申请日：2018-01-08

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 鲁学会 ,  褚君浩 ,  敬承斌 ,  王连卫 ,  张金中

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  G01N21/3586

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/08 ,  G01N21/3586 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法，其检测器以硅基SOI（Silicon On Insulator）基片作为衬底，所述衬底上反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching-RIE）硅探测微桥，所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温，具有高灵敏度，快响应时间，制备简单，便于做成大规模阵列芯片的特点，使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107991733A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201610968602.5

申请日：2016-10-27

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 敬承斌 ,  付晓红 ,  王旭 ,  王琳 ,  张金中 ,  越方禹 ,  李文武 ,  胡志高 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: G02B6/02

CPC classification number: G02B6/02328

Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤的制备方法，包括：配制二氧化锗的碱性水溶液，并用酸调节pH值；将溶液注入金属毛细管中，封闭金属毛细管的两端，放置在支架上并保持缓慢转动，在金属毛细管内液相沉积制备二氧化锗电介质膜；去除金属毛细管两端的封闭物倒出溶液；室温下向金属毛细管内吹入洁净的氮气或空气，干燥期间持续通入洁净的氮气或空气；结束干燥后得到金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明还公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明所提出的中远红外空芯光纤以金属毛细管为主体结构，韧性好，机械强度高，且低损耗窗口位置随氧化锗介质膜的厚度改变。

公开(公告)号：CN105701353A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610032616.6

申请日：2016-01-19

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 杨静 ,  张金中 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: G06F19/00 ,  G01R33/12 ,  G01R33/14

CPC classification number: G06F19/00 ,  G01R33/12 ,  G01R33/14

Abstract: 一种以内存为暂存媒介、专用于PPMS的批量获取磁性材料的M-T曲线、ΔS-T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是以内存为暂存媒介，专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变的技术方案，解决了现有技术中根据PPMS测量得到的数据难以获得磁性材料的M-T曲线、ΔS-T曲线的难题。