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公开(公告)号：CN110987879A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323633.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构的制备方法，包括：制备获得金属围坝支架和LED芯片；制备获得与所述金属围坝支架上表面匹配的透镜；在所述透镜上表面制备金属电极，获得带金属电极的透镜；在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料，使光激发气敏材料与所述金属电极电连接；将带金属电极和光激发气敏材料的透镜的下表面与所述金属围坝支架粘接，以对所述LED芯片进行封装，获得气敏传感器结构。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
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公开(公告)号：CN109599469A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811549557.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法，所述蛾眼结构深紫外发光二极管包括外延层和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有第一表面和第二表面；所述第一表面上设置有外延层，所述第二表面上设置有周期性的蓝宝石蛾眼结构，且所述蓝宝石蛾眼结构的周期为3～5μm，高度为1～3μm，鼓包底宽为2～3μm。所述蛾眼结构深紫外发光二极管使光提取效率大大增加，有效提高了深紫外发光二极管的性能，且解决了制备过程中存在损伤的问题。
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公开(公告)号：CN109473529A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811141716.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米阵列结构薄膜的制备方法，首先制备纳米阵列结构模板，然后在纳米阵列结构模板上旋涂薄膜材料，固化后剥离即可得到纳米阵列结构薄膜。具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层、旋涂薄膜材料、固化剥离。本发明还提供一种纳米阵列结构薄膜，由上述纳米阵列结构薄膜的制备方法制得。本发明又提供一种LED器件，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构薄膜，纳米阵列结构薄膜通过密封剂固定在LED芯片出光面和侧壁。该LED器件具有较好的光提取效率。
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公开(公告)号：CN107843567A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710984212.1
申请日：2017-10-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置，其中，光源发射的光线透过偏振模块形成偏振光，偏振光射在待测半导体上，分光光栅使透射出待测半导体的光线转化为待测半导体的透射光谱，光谱仪测量待测半导体的透射光谱；旋转偏振模块，光谱仪测量待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱；根据待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱计算待测半导体面内不同偏振角度的禁带宽度。有益效果：通过分析待测半导体透射光谱中因电子从不同价带跃迁至导带具备的不同吸收特性，利用光源、偏振模块、样品座、分光光栅、光谱仪即可测量半导体禁带宽度面内各向异性，其中光源不需要采用激光光源，成本较低。
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公开(公告)号：CN119944432A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510123953.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种深紫外光子晶体面发射激光器，涉及半导体光电技术领域。深紫外光子晶体面发射激光器包括：衬底层、氮化铝模板层、第一布拉格反射层、外延结构和第二布拉格反射层；氮化铝模板层设置于第一布拉格反射层与衬底层之间，外延结构设置于第二布拉格反射层与第一布拉格反射层之间；其中，第一布拉格反射层包括周期性排列的气孔型光子晶体结构、多个第一子层和多个第二子层，第一子层包括Alx1Ga1‑x1N材料，第二子层包括Alx2Ga1‑x2N材料，0.3≤x1≤0.4，0.45≤x2≤0.55。本申请降低了深紫外光子晶体面发射激光器的激射阈值，并提高了深紫外光子晶体面发射激光器的激射功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119822403A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510032874.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种水相全无机钙钛矿量子点及其制备方法和应用，属于半导体纳米材料技术领域；方法包括：将溴代酸和油胺混合于溶剂，得到两性离子配体溶液；将Pb源和HBr溶液混合，得到第一预混液，所述Pb源包括PbAc2·3H2O和/或PbAc2；将所述第一预混液、CsAc和所述两性离子配体溶液混合，得到第二预混液；对所述第二预混合进行搅拌，后进行固液分离，得到钙钛矿量子点；该方法制得的钙钛矿量子点具有较好的水稳定性，且该方法的制备过程不需要大剂量的有毒化学试剂和/或惰性反应环境条件，改善了钙钛矿量子点难以实现商业化的问题。
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公开(公告)号：CN118005079A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311825174.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种图案化钒掺杂二硫化钼纳米片阵列及其制备方法、器件，所述方法包括：得到第一衬底，所述第一衬底的表面具有图案化金属钒膜；对所述第一衬底进行氧等离子体处理，以使所述金属钒膜转变为钒氧化物膜，并使得所述第一衬底的浸润性增强，得到第二衬底；对所述第二衬底的表面进行涂覆钼源，得到第三衬底；对所述第三衬底与硫粉进行化学气相沉积反应，得到图案化钒掺杂二硫化钼纳米片阵列。本申请内容解决了现有二硫化钼难以实现多数载流子类型调控的技术问题。
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公开(公告)号：CN117637946A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311624718.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高多波段发光器件的集成度和小型化程度，降低制备难度。其中，上述发光器件包括：衬底；缓冲层，设置于所述衬底的一侧；量子阱光学谐振腔，设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；发光层，设置于所述量子阱光学谐振腔远离所述缓冲层的一侧；其中，所述量子阱光学谐振腔包括III族氮化物，所述量子阱光学谐振腔用于谐振出射第一波段光，所述发光层包括单层的直接带隙二维材料，所述发光层用于出射第二波段光。
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公开(公告)号：CN117580373A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311366485.1
申请日：2023-10-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种红外光电探测器，涉及半导体光电探测器件技术领域，探测器包括：纤维素导电衬底，其中，衬底中掺杂有银纳米线；电子传输/注入层；半导体材料活性层；空穴传输/注入层；以及光线可穿透金属电极，光线可穿透金属电极的第一侧用于接收红外光源，光线可穿透金属电极的第二侧依次层叠设置有空穴传输/注入层、半导体材料活性层、电子传输/注入层和纤维素导电衬底。根据上述技术方案，不仅可以实现器件的高灵敏、低功耗的红外探测功能，同时纤维素导电衬底易于集成，还可以展现出高耐弯折性能，具有强柔韧性和可穿戴等特点。
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公开(公告)号：CN117558842A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311699008.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合，在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构，经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器，最后二次外延生长深紫外LED结构，通过引入高深紫外反射率的分布式布拉格反射器，将芯片内部量子阱向下发射的光子重新反射上去，采用双向光提取机制提升了深紫外LED芯片光提取效率，同时根据量子阱发光波长匹配较高Al组分的P型空穴注入层与p型电流扩展层，再引入可以形成良好欧姆接触的氧化铟锡(ITO)深紫外高透光电极，减少p型层对深紫外光子的吸收，进一步提高深紫外LED的光提取效率，最终提高整个深紫外芯片的外量子效率。
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