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公开(公告)号：CN109599468B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811380251.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方。经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
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公开(公告)号：CN107337881B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710515884.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于LED封装的氟树脂界面剂，包括氧化石墨烯氟树脂密封剂、KH550硅烷偶联剂溶液。氧化石墨烯氟树脂密封剂中的氧化石墨烯粉与KH550硅烷偶联剂发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，保证了LED封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN109524526A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种新型深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N-AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种新型深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN109273582A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810876587.0
申请日：2018-08-03
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/58 , B82Y40/00 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明提供了一种纳米阵列结构透镜的制备方法，具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层。本发明提供的制备方法，将纳米光刻和干湿法蚀刻相结合，能够在蓝宝石衬底上制作均匀的，大面积的且易于控制的纳米阵列，从而在透镜中形成从而形成纳米阵列结构。本发明还提供一种纳米阵列结构透镜，由上述纳米阵列结构透镜的制备方法制得。本发明又提供一种深紫外LED，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构透镜，该深紫外LED具有较好的光提取效率。
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公开(公告)号：CN107275465A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710514855.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/56 , C08K3/04 , H01L2933/005 , C08L27/12
Abstract: 本发明提供一种LED封装，依次包括基板、LED芯片、密封层、石英玻璃，其特征在于，所述密封层包括氧化石墨烯氟树脂密封剂层、KH550硅烷偶联剂层。氧化石墨烯氟树脂密封剂层与KH550硅烷偶联剂层发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，提高了LED封装的密封性能从而保证了LED封装的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524526B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN107275465B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710514855.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种LED封装，依次包括基板、LED芯片、密封层、石英玻璃，其特征在于，所述密封层包括氧化石墨烯氟树脂密封剂层、KH550硅烷偶联剂层。氧化石墨烯氟树脂密封剂层与KH550硅烷偶联剂层发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，提高了LED封装的密封性能从而保证了LED封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN109599468A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811380251.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方。经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
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公开(公告)号：CN107146788A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710365588.4
申请日：2017-05-22
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/52 , H01L33/64 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/075 , H01L33/005 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: 本发明公开了一种大功率深紫外LED光源模组，包括半圆石英透镜(3)、深紫外LED芯片(4)、密封剂(5)、覆铜陶瓷基板(2)及六角铜基板(1)；所述六角铜基板(1)的表面设有镀金焊位；所述覆铜陶瓷基板(2)焊接在所述镀金焊位上；所述深紫外LED芯片(4)为正方形或长方形倒装结构，其背部表面设有金锡层，用于与所述覆铜陶瓷基板(2)进行共晶焊接；所述半圆石英透镜(3)通过所述密封剂(5)粘结在所述深紫外LED芯片(4)的表面。本发明还公开了一种大功率深紫外LED光源模组的制备方法。本发明的光源模组，大大提高了产品的光功率，降低热阻，控制结温，增加寿命与可靠性，制备工艺简单，易容操作，可以适于批量生产。
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公开(公告)号：CN109599469A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811549557.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法，所述蛾眼结构深紫外发光二极管包括外延层和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有第一表面和第二表面；所述第一表面上设置有外延层，所述第二表面上设置有周期性的蓝宝石蛾眼结构，且所述蓝宝石蛾眼结构的周期为3～5μm，高度为1～3μm，鼓包底宽为2～3μm。所述蛾眼结构深紫外发光二极管使光提取效率大大增加，有效提高了深紫外发光二极管的性能，且解决了制备过程中存在损伤的问题。
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