一种富氢深紫外杀菌水杯

    公开(公告)号:CN109437364B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201811140313.1

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯,包括杯身、杯盖,所述杯盖活动设置于所述杯身上,所述杯盖上还设有固定座、UVC‑LED光源、石英柱、电解组件,所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B,所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中,所述UVC‑LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方,所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能,同时使得电器部件可放置于密闭空间中,而电解组件放置于开放空间中,UVC‑LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。

    一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置

    公开(公告)号:CN107843567A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201710984212.1

    申请日:2017-10-20

    CPC classification number: G01N21/31

    Abstract: 本发明公开了一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置,其中,光源发射的光线透过偏振模块形成偏振光,偏振光射在待测半导体上,分光光栅使透射出待测半导体的光线转化为待测半导体的透射光谱,光谱仪测量待测半导体的透射光谱;旋转偏振模块,光谱仪测量待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱;根据待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱计算待测半导体面内不同偏振角度的禁带宽度。有益效果:通过分析待测半导体透射光谱中因电子从不同价带跃迁至导带具备的不同吸收特性,利用光源、偏振模块、样品座、分光光栅、光谱仪即可测量半导体禁带宽度面内各向异性,其中光源不需要采用激光光源,成本较低。

    一种富氢深紫外杀菌水杯

    公开(公告)号:CN109437364A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811140313.1

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯,包括杯身、杯盖,所述杯盖活动设置于所述杯身上,所述杯盖上还设有固定座、UVC-LED光源、石英柱、电解组件,所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B,所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中,所述UVC-LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方,所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能,同时使得电器部件可放置于密闭空间中,而电解组件放置于开放空间中,UVC-LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。

    一种深紫外LED封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN109103319A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810953484.X

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装结构,包括三维支架、LED芯片、半球透镜及密封剂;所述三维支架上设有第一内槽和第二内槽,所述第二内槽开设在所述第一内槽的槽底上,所述半球透镜的平底端面部分抵接在所述第一内槽的槽底上,所述密封剂均匀分布在所述半球透镜与所述第一内槽相抵接的部分上;所述LED芯片均匀分布在所述第二内槽的槽底上。本发明提供的深紫外LED封装结构通过使用具有台阶结构的三维支架,将密封剂与LED芯片隔离,降低深紫外线对密封剂的照射,并且采用在边缘处点胶密封工艺点涂密封剂,所制备的封装结构不仅具有良好的气密性,还能有效提高深紫外LED的出光效率。

    一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103346197A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201310251280.9

    申请日:2013-06-24

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法,该探测器结构包括蓝宝石衬底;在蓝宝石衬底上依次生长的低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、本征AlGaN层、n型AlGaN下接触层、AlGaN/GaN多量子阱层以及n型AlGaN上接触层;n型AlGaN上接触层之上的二维金属光栅层。本发明的优点在于:利用Plasmon近场增强效应,在表面形成电场方向平行于量子阱生长方向的电子、光子耦合共振波,提高量子阱对正入射光的吸收能力,从而提升红外探测器的探测效率。同时,利用Plasmon增强耦合光栅的选频特性,实现信号的滤波,降低噪声的影响,减少暗电流,增强红外探测器的灵敏度。

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