公开(公告)号：CN116995117A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310929954.X

申请日：2023-07-27

Applicant: 厦门大学 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 洪荣墩 ,  刘佳 ,  张峰 ,  付钊 ,  张国良 ,  刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 具有埋层结构的碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备，涉及紫外光电探测器。设有碳化硅高掺杂n+型衬底，在n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层，在n‑型吸收层中设单个或多个圆柱状碳化硅n型电荷埋层，在n‑型吸收层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，在p+型欧姆接触层上设二氧化硅钝化隔离层。在p+型欧姆接触层上表面设p+型环形欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。n‑型吸收层阻抗高，在高阻抗n‑型吸收层中引入低阻抗n型电荷埋层，可对n‑型吸收层的电场调制，使探测器可在较低电压下发生雪崩击穿，获得更高的量子效率和增益。

公开(公告)号：CN116909475A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310648438.X

申请日：2023-06-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 沈志荣 ,  张峰 ,  舒继武

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明公开了一种跨机架感知的纠删码存储系统均衡冗余转换方法及装置，用于解决纠删码存储系统存储冗余转换中跨机架传输流量开销大以及机架间负载不均衡的问题，方法包括：制定机架间平衡的数据布局和机架内聚合的校验块布局，并在冗余转换过程中维护该布局，以减少数据块重定位和校验块更新所导致的跨机架传输流量；设计数据块选择和奇偶校验块增量更新策略，以进一步减少校验块更新的跨机架传输流量；提出了一种启发式算法，挑选条带组并行进行冗余转换，以平衡各机架的流量负载。本发明在抑制冗余转换导致的跨机架传输流量的同时平衡机架之间的负载，能够缩短完成冗余转换的时间。

公开(公告)号：CN116525641A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310728837.7

申请日：2023-06-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  陈雨箭

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/739

Abstract: 一种集成发光二极管的光增强超结碳化硅IGBT器件，在顶部栅极集成发光二极管(LED)，利用LED发射出的光使得JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率，并在漂移区增加超结结构用于保证器件的阻断能力。

公开(公告)号：CN111463308B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。

公开(公告)号：CN111463308A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。

公开(公告)号：CN115000238B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

公开(公告)号：CN118867014A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410838206.5

申请日：2024-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  田自谦 ,  付钊 ,  李子豪 ,  张锐军 ,  刘佳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

Abstract: 一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法，涉及紫外光电探测器。具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管为npn垂直结构，包括从下到上依次设置的发射极电极、N+型4H‑SiC衬底、N+型发射区、P+型基区、P‑型基区、N‑型集电区、N+型集电极欧姆接触层和集电极电极。在N+型集电极欧姆接触层上表面设有供紫外光透过的光学窗口。上述探测器可避免传统碳化硅光电晶体管探测器由于基区过窄导致暗电流过高的问题，提高了光电晶体管对光电流的增益，获得更高的器件响应度并改善器件频率响应特性。

公开(公告)号：CN114242771B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202111443699.5

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构，属于碳化硅功率半导体领域。提供结合碳化硅材料特性，通过顶部栅极挖孔，来实现透光，同时通过在JFET区域的底部进行高掺来实现同种掺杂的耗尽层，从而产生更多光生载流子的一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构。适用于双极型器件IGBT和单极型器件碳化硅MOSFET，由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区/N型掺杂衬底、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂JFET区、N型低掺杂JFET区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极/漏电极。可应用于600V以上高压领域，采用光增强结构，导通特性好。

公开(公告)号：CN115000238A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

公开(公告)号：CN112117336A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011005272.2

申请日：2020-09-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 付钊 ,  张峰 ,  洪荣墩 ,  蔡加法 ,  陈厦平 ,  林鼎渠 ,  吴少雄 ,  吴正云

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/105 ,  H01L23/52 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。