公开(公告)号：CN101740397A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910218082.6

申请日：2009-12-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杜国同 ,  赵旺 ,  夏晓川 ,  李万程 ,  张宝林

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种氧化锌(ZnO)基薄膜晶体管(TFT)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备方法。ZnO基薄膜晶体管由衬底、栅极、绝缘层、ZnO基有源沟道层以及源电极、漏电极构成，绝缘层和ZnO基有源沟道层全部采用MOCVD技术完成材料生长，相对于其它外延技术，其制备的半导体材料质量较高。在MOCVD生长设备中一次完成各层材料生长，可大大简化材料生长工艺，同时能够实现各层半导体材料厚度的精确控制。本发明提出了采用适合工业化生产MOCVD设备生长ZnO基薄膜晶体管的一种工艺方法，解决了其它方法制备ZnO质量不高等关键问题，进而制备出具有较高质量的ZnO基TFT。

公开(公告)号：CN1776009A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510119039.6

申请日：2005-11-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杜国同 ,  李万成 ,  张宝林

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO薄膜专用光照辅助生长金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统及其工艺方法和p型掺杂技术。其特征是在反应室内装有光源(19)，在反应室侧壁上装有带绝缘电极的法兰盘(20)，还添加了光源控制电源(23)，光源通过导线连接在绝缘电极上(21)，再连接到光源控制电源上。本发明的优点是可以降低加热片的温度，可以快速升温，快速降温，进行衬底快速调制加热生长ZnO薄膜；光照还有利于杂质源的离化和杂质激活；同时又能解决p型ZnO见光退化不稳定问题，达到老化和稳定p型掺杂的目的。

公开(公告)号：CN119108264A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411202322.4

申请日：2024-08-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  朱剑锋 ,  张宝林

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种异质外延金刚石薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：对硅片进行研磨抛光处理，而后放入MPCVD沉积装置中进行金刚石气相沉积，得到硅基金刚石基片；对硅基金刚石基片进行氢等离子体刻蚀处理，得到高金刚石相占比的硅基金刚石基片；将高金刚石相占比的硅基金刚石基片放入MPCVD装置继续进行金刚石气相沉积，得到异质外延金刚石薄膜。本发明低成本制备的氢等离子体刻蚀硅基金刚石基片具有高金刚石相占比，以其为衬底继续外延可以获取的金刚石薄膜能够有效降低缺陷密度，具有优良的晶体质量。

公开(公告)号：CN118497582B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410946307.4

申请日：2024-07-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李国兴 ,  张宝林 ,  张源涛 ,  董鑫 ,  吴国光 ,  邓高强 ,  王建立 ,  林翔

IPC: C22C28/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/02 ,  C22F1/16 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明适用于负热膨胀材料技术领域，提供了一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法，所述材料为ErCo2合金材料，所述ErCo2合金材料的原材料包括铒和钴，铒的摩尔数占原材料总摩尔数的1/3，钴的摩尔数占原材料总摩尔数的2/3。制备方法包括以下步骤：表面清洗；混合原材料；氩气保护；高压电弧熔炼；高温热处理。本发明提供的制备方法过程简单、成本较低，适合工业化生产；本发明提供的合金材料具有良好的导电性，且负热膨胀系数能够较好的满足于低温75 K以下工作环境的电路系统、集成电路和芯片对电极材料热匹配的特殊要求，可供给电子领域广泛应用，具有较为广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111725072B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202010613147.3

申请日：2020-06-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  焦腾 ,  张源涛 ,  张宝林 ,  李赜明

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种电子浓度稳定的高质量氧化镓(β‑Ga2O3)薄膜及其制备方法，属于半导体材料及其制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的c面蓝宝石衬底、Ga2O3低温缓冲层、Si掺杂浓度逐级提高的Ga2O3薄层、Si掺杂的Ga2O3薄膜组成。其中，低温缓冲层、Ga2O3薄层、Ga2O3薄膜均由MOCVD工艺制备而成。本发明能够实现电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜的快速制备，1小时可以获得厚度约为1微米的Ga2O3薄膜。本发明解决了掺杂Ga2O3薄膜电子不稳定的问题，同时提高了薄膜生长速度与Ga2O3薄膜的晶体质量。该发明能够快速制备高质量、高电子浓度稳定性的Ga2O3薄膜，为Ga2O3基器件的制备奠定了坚实的基础。

公开(公告)号：CN114808119A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210250161.0

申请日：2022-03-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  管祺曾 ,  王成 ,  胡逸凡 ,  张宝林

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO2/InN异质结结构可实现不同衬底上InN纳米柱异质结结构的制备，有助于实现新型InN基光电子器件的设计，本发明全工艺流程均在低温下进行，具有良好的工艺兼容性，制备成本低，并且制备的InN纳米柱分布均匀、形貌可控，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113066851A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110256600.4

申请日：2021-03-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  秦维泉 ,  邓高强 ,  董鑫 ,  张宝林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种InAlGaN/GaN异质结结构及其生长方法，属于半导体材料外延生长技术领域。采用MOCVD方法在衬底层上依次外延生长GaN沟道层和InAlGaN势垒层，通过控制生长条件生长In：Al组分比约为1:5的InAlGaN势垒层，使InAlGaN势垒层与GaN沟道层实现a轴晶格匹配。本发明方法可以获得a轴晶格匹配的InAlGaN/GaN异质结，消除势垒层与沟道层之间的晶格失配，可以解决目前高Al组分AlGaN/GaN基电子器件中由于晶格失配而导致的结晶质量下降问题，可显著降低强电场下短沟道电子器件的逆压电极化效应，能够实现具有高密度二维电子气和高电导特性的无应变异质结结构。

公开(公告)号：CN112053942A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010958847.6

申请日：2020-09-14

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  余烨 ,  邓高强 ,  张宝林

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

Abstract: 一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法，属于半导体技术领域。其首先是在衬底层上生长石墨烯层，然后利用等离子体对生长的石墨烯层表面进行预处理；之后采用MOCVD方法在石墨烯层上依次外延生长AlN缓冲层和GaN层，生长源为三甲基铝、三甲基镓和高纯氨气，生长温度为700～1300℃，生长压强为50～400mbar；从而在石墨烯上生长得到GaN薄膜。其中，AlN缓冲层采用的是两步温度生长法制备，即先低温(700～900℃)在石墨烯层上外延长低温AlN层，再升高温度(1000～1300℃)继续外延高温AlN层。本发明方法不仅可以在石墨烯上获得高密度的AlN成核岛，还可以促进高密度AlN成核岛的横向合并，从而能够为后续GaN的生长提供足够的成核位点，实现GaN薄膜的外延生长。

公开(公告)号：CN109786531B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910088592.X

申请日：2019-01-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张源涛 ,  陈靓 ,  韩煦 ,  邓高强 ,  董鑫 ,  张宝林

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L29/885 ,  H01L21/329

Abstract: 一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。其从下至上依次由衬底、Alx0Ga1‑x0N模板层、n‑Alx1Ga1‑x1N极化诱导掺杂层、Alx2Ga1‑x2N插入层、p‑Alx3Ga1‑x3N极化诱导掺杂层和p‑Alx4Ga1‑x4N重掺杂层构成。所述n‑Alx1Ga1‑x1N极化诱导掺杂层、Alx2Ga1‑x2N插入层和p‑Alx3Ga1‑x3N极化诱导掺杂层共同构成极化诱导隧穿结。本发明提出的隧穿结结构全部由AlGaN材料构成，使用极化诱导掺杂的方法改善高Al组分AlGaN掺杂难的问题，并使用高Al组分的Alx2Ga1‑x2N作为插入层，进一步提高器件的隧穿几率，获得性能良好的隧穿结器件。

公开(公告)号：CN106920849B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201710263443.3

申请日：2017-04-21

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董鑫 ,  梁红伟 ,  张源涛 ,  夏晓川 ,  张宝林 ,  杜国同

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L23/373 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。