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公开(公告)号：CN111766499B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735771.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。
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公开(公告)号：CN115206447A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762598.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，涉及硅工艺的模拟技术技术领域。包括如下步骤：构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向单晶硅表面发射，使单晶硅表面发生氧化反应，退火后，得到氧化试样；氧化试样包括氧化层；获取氧化层的结构参数，重复上述步骤，获取并分析氧化层的结构参数，结构参数至少包括Si‑H键、Si‑O‑H键的数目。本发明从微观角度出发，通过模拟湿氧热氧化工艺的方法掌控和分析氧化层中H的存在形式和电子性质，达到经济高效地预测和优化工艺及相应使用器件的目的。
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公开(公告)号：CN115188438A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762547.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种基于原子氧与紫外协同作用下材料剥蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法包括：获取原子氧环境影响参数，所述原子氧环境影响参数包括：航天器速率、来流方向以及原子氧密度；建立航天器的三维模型，将所述原子氧环境影响参数输入到所述三维模型，得到航天器表面原子氧通量；根据航天器表面受到原子氧与紫外辐照的协同情况，确定航天器表面材料剥蚀反应系数；通过所述航天器表面原子氧通量和所述航天器表面材料剥蚀反应系数，得到航天器表面材料的剥蚀厚度。本发明的模拟方法步骤简单，易于操作，且模拟准确。
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公开(公告)号：CN115186567A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210769893.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种针对太阳耀斑辐射器件后损伤效应的计算方法，包括：构建飞行器敏感体的结构模型，并对所述结构模型添加球形外壳结构；获得所述太阳质子粒子源的积分能谱或微分能谱，然后将所述积分能谱或所述微分能谱导入求解器，得到所述积分能谱或所述微分能谱辐照所述球形外壳结构后的粒子能谱及累计通量；删除所述球形外壳结构，将所述粒子能谱导入求解器，对所述结构模型进行辐照，得到所述粒子能谱辐照后的所述结构模型的辐射损伤数据；对所述辐射损伤数据进行分析，分析粒子对所述飞行器敏感体的辐射损伤效应。本发明提供的计算方法能够精确模拟在辐射屏蔽层存在条件下太阳耀斑对飞行器敏感体的损伤情况，更加符合真实环境。
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公开(公告)号：CN115186539A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210770230.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06T17/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧掏蚀效应的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：根据坐标系内各方向上的所述多边形网格数量生成结构化网格文件；生成初始裂纹文件；生成掏蚀网格文件；根据所述结构化网格文件的数据、所述初始裂纹文件的数据以及所述掏蚀网格文件的数据，完成航天器表面原子氧掏蚀效应的显示。与现有技术比较，本发明能够直观显示航天器表面原子氧掏蚀效应，达到获得精确预测原子氧与紫外下材料表面掏蚀情况的目的，且本方法步骤简单，易于操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115186536A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759852.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能与所述缺陷愈合率之间的关系。本发明在使用分子动力学方法获得缺陷愈合率之后，将愈合率作为输入参数进行半导体器件性能模拟，通过半导体器件的性能直观且准确地表征半导体器件辐照的缺陷愈合率。
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公开(公告)号：CN115186468A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210770273.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种空间综合环境实时量化表征方法、装置及系统，涉及航天航空技术领域。本发明所述的空间综合环境实时量化表征方法，包括：设置仿真参数，其中，所述仿真参数包括仿真开始时刻、仿真结束时刻和仿真步长时间；从所述仿真开始时刻开始到所述仿真结束时刻为止，根据所述仿真步长时间依次累加仿真步长，逐一确定每个仿真时刻的飞行器的空间综合环境；根据所述空间综合环境选取对应的量化表征模型，以确定不同仿真时刻对应的空间综合环境实时量化表征数据。本发明所述的技术方案，可以解决空间综合环境实时量化表征问题，保障飞行安全。
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公开(公告)号：CN115186466A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210768723.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于插件实现空间环境下航天器性能的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法，包括：确定实现空间环境下航天器性能模拟的应用主程序中待启动的插件；为所述插件创建运行环境，并在所述运行环境中通过接口加载所述插件，以启动所述插件，实现空间环境下航天器性能模拟；或在所述运行环境中通过接口卸载所述插件，以关闭所述插件。本发明通过设置插件，并通过接口加载或卸载所述插件，以启动或关闭所述插件，实现空间环境下航天器性能的模拟计算，计算结果准确且计算高效，稳定性高。
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公开(公告)号：CN115186463A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762700.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F111/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于器件辐射缺陷演化全过程的跨尺度仿真方法和系统，所述方法包括：定义粒子参数和材料参数，并将其输入模拟系统；根据分子动力学基本原理，建立基于空间入射粒子的分子动力学模型，进行基于分子动力学的空间入射粒子的运动数值模拟，并获取不同时刻空间入射粒子的运动轨迹、速度、能量和在空间器件中的分布信息；采用统计物理学方法统计不同状态下空间入射粒子的运动规律，将空间入射粒子的微观状态和材料的宏观性质相关联，进行跨尺度计算仿真。本发明以单个入射粒子和材料参数为研究对象，对入射粒子在空间器件中产生的跨尺度缺陷演化效应进行模拟仿真，为半导体器件的材料选取提供重要依据和思路。
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公开(公告)号：CN115169454A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769717.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发的数据集采样方法，属于机器学习技术领域。所述方法包括：利用初始构象作为训练集，训练得到多个机器学习力场；利用多个力场对材料的标定性质进行分子动力学模拟，获得模拟轨迹；计算模拟轨迹中每个构象的原子受力及平均原子受力；计算每个构象的标准差，根据标准差的大小确定数据集的候选构象；将候选构象作为初始构象重复上述步骤，直至新的候选构象达到设定比例时，完成数据集的采样。本发明具有明确的收敛准则，经过多轮迭代构建收敛的数据集，且数据集大小适中，既包含所有必要的信息，又能够节省计算资源，为构建准确表征材料各项理化性质的机器学习力场提供了必要基础。
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