公开(公告)号：CN100399587C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410010488.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大山尚一 ,  村上哲朗 ,  仓桥孝尚 ,  山本修 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。半导体压层的阶梯和直接连接介面之间的厚度不小于1μm且不大于4μm。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。

公开(公告)号：CN100385692C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410090081.5

申请日：2004-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1-y)zIn1-zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。

公开(公告)号：CN1319183C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200310101530.7

申请日：2003-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  中津弘志 ,  村上哲朗 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5-7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。

公开(公告)号：CN1298058C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200410003659.9

申请日：2004-02-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田清久 ,  中津弘志 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/305

Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。

公开(公告)号：CN1855370A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610074666.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  中津弘志

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。