公开(公告)号：CN111567142A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201780097966.3

申请日：2017-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 显示装置包括：基底基板(10)；发光元件(25)，其隔着TFT层(20)设置在基底基板(10)上，并构成显示区域(D)；密封膜(29)，其以覆盖发光元件(25)的方式设置，并依次层叠有第一无机膜(26)以及第二无机膜(28)；以及非显示区域(N)，其以岛状设置在显示区域(D)内，在非显示区域(N)中，以在基底基板(10)的厚度方向上突出，并沿着与显示区域(D)的边界的方式设置框状的内周壁(Wa)，在内周壁(Wa)的表面上设有有机缓冲层(27a)，该有机缓冲层(27a)夹在第一无机膜(26)以及第二无机膜(28)之间。

公开(公告)号：CN110226361A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201780084610.6

申请日：2017-01-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  园田通

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的OLED面板包括基材(11)、OLED元件(4)和覆盖上述OLED元件的密封部(5)，上述密封部包含作为无机膜的第一密封膜(26)、作为有机膜的第二密封膜(27)、作为无机膜的第三密封膜(33)和形成在上述第一密封膜与上述第二密封膜之间的耦合膜(30)。

公开(公告)号：CN104919517A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070623.X

申请日：2013-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山中成继 ,  中川慎司 ,  古川浩之 ,  太田纯史

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/14 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3283 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0271 ,  G09G2320/045 ,  G09G2320/046 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2340/02 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的目的在于能够使显示装置中保存补偿用数据(为了补偿驱动晶体管的特性的偏差等而使用的数据)所需要的存储器容量比以往减少。在驱动晶体管使用了氧化物TFT的有机EL显示装置中设置有：从作为驱动晶体管的驱动电流的数据的像素电流数据(I)中提取低频成分数据(IL)的低通滤波器(421)；用于通过求出像素电流数据(I)与低频成分数据(IL)的差值来得到高频成分数据(IH)的第一运算部(422)；以规定的采样间隔从低频成分数据(IL)提取数据的下采样部(426)；和仅提取高频成分数据(IH)中的高振幅数据的高频信号压缩处理部(427)。

公开(公告)号：CN102652330B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：CN102893315B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201180022972.5

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  近间义雅 ,  水野裕二 ,  太田纯史 ,  吉田德生 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信 ,  山下彻也

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。

公开(公告)号：CN103201828A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053396.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  桥本真人

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/7869

Abstract: 在氧化退火处理装置(1)的密闭容器状的装置主体(3)的内部配置有远红外线面状加热器(6)，连接对装置主体(3)内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管(8)和将装置主体(3)内的气体排出的排气管(11)，使氧补充气体供给管(8)与对基板(50)的氧缺陷部位喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体的喷嘴喷射口(16)连通。由此，即使是大型基板也能够在防止产生漏泄电流的同时以高吞吐量和低成本进行氧化退火处理。

公开(公告)号：CN102906804A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024993.0

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下彻也 ,  吉田德生 ,  近间义雅 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

公开(公告)号：CN102696112A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080058007.9

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  胜井宏充 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。

公开(公告)号：CN102473727A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。

公开(公告)号：CN101548578A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044595.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/525 ,  H01L51/5246

Abstract: 本发明提供包括能够长期维持稳定的发光特性的有机电致发光元件的有机电致发光面板、有机电致发光显示器、有机电致发光照明装置和它们的制造方法。本发明的有机电致发光面板包括元件基板、与上述元件基板相对的密封基板、和在上述元件基板的密封基板一侧形成的有机电致发光元件，其中，上述有机电致发光面板包括将元件基板与密封基板之间密封的第一密封部件、和在与上述第一密封部件分离的位置覆盖有机电致发光元件的第二密封部件，在上述第一密封部件与第二密封部件之间形成的空间为减压或真空状态。