公开(公告)号：CN112786782A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110032271.5

申请日：2021-01-11

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  汪子洋 ,  廖立波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Sb‑Si3N4薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构是为Sbx(Si3N4)100‑x，其中15≤x≤50；其制备方法步骤如下：采用高纯度圆块Si3N4和Sb作为靶材，通过磁控溅射装置，采用双靶共同溅射方法，通入高纯度氩气作为工作气体，以硅片或者石英片作为衬底材料，对其进行表面沉积；调整Sb直流溅射功率为10~20W，调整Si3N4靶的射频功率为30~60W，在室温下，溅射30min得到Sb‑Si3N4薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和较强的十年数据保持力，较快结晶速度，较好的热稳定性，以及较大的非晶和晶态电阻率。

公开(公告)号：CN110176536A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910311279.8

申请日：2019-04-18

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  张倩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为（VO2）xSb100-x，其中VO2的原子数百分含量为0

公开(公告)号：CN105742489B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201610119008.9

申请日：2016-03-03

Applicant: 宁波大学

Inventor： 李增光 ,  吕业刚 ,  马亚东 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为Zrx(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0

公开(公告)号：CN107946460A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711113561.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  师道田 ,  刘鹏 ,  沈祥 ,  聂秋华 ,  吕业刚

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种用于多态相变存储器的Zn-Sb-Bi薄膜材料及其制备方法，特点是薄膜材料由金属单质Bi靶和Zn2Sb3合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得，其化学结构式为(Zn2Sb3)100-xBix，其中0≤x

公开(公告)号：CN104810475B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201510154171.4

申请日：2015-04-02

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  吕业刚 ,  聂秋华 ,  戴世勋 ,  徐铁峰 ,  陈飞飞 ,  王慧 ,  陈益敏

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种纳米复合TiO2‑Sb2Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是相变存储薄膜材料为介质材料TiO2与相变材料Sb2Te的复合物，其化学结构式为(TiO2)x(Sb2Te)100‑x，其中0

公开(公告)号：CN106782645A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611164714.1

申请日：2016-12-16

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  张巍 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  徐培鹏

IPC: G11C11/42

Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法，特点是包括波导，波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，波导的两侧对称分布有电极，波导上方设置有相变纳米线，相变纳米线与波导垂直，相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触，优点是可以实现电域和光域同时操作，可以利用光电混合模式实现多级存储，并能监测相变纳米线的瞬态过程，测试其相变速度。

公开(公告)号：CN106744669A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611046605.X

申请日：2016-11-23

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  张巍 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0095 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法，特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线，经过光学显微镜选取纳米线并定位，在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口，利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上，采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力，再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件，优点是实现纳米线的分散，并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法，且转移后，其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比，更加简单、经济，适用范围更广。

公开(公告)号：CN104328326B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201410473416.5

申请日：2014-09-17

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  吕业刚 ,  陈益敏 ,  田曼曼 ,  李军建 ,  戴世勋 ,  聂秋华 ,  徐铁峰

IPC: C22C30/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公开了用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料，特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物，其化学结构式为ZnxSbySez，其中：0

公开(公告)号：CN105355783A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510712254.0

申请日：2015-10-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  王苗 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L45/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb4Te多层复合薄膜，其结构符合下列通式：[GaSb/Sb4Te]x,式中单层GaSb薄膜的厚度为4nm，单层Sb4Te薄膜的厚度为6nm，x表示单层GaSb和单层Sb4Te薄膜的交替周期数或者交替层数，取值为1-15之间的任一整数，其制备方法包括清洗衬底；安装好溅射靶材；先对GaSb靶材溅射，再对Sb4Te靶材进行溅射，之后交替溅射GaSb薄膜和Sb4Te薄膜即可，优点是能够实现多级存储，极大提高存储器的存储密度；具有较高的十年数据保持力温度，可以提高存储器热稳定性。

公开(公告)号：CN104868053A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510219504.7

申请日：2015-04-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 龚丽萍 ,  孙景阳 ,  王东明 ,  汪伊曼 ,  吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗-锑-碲-硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb2Se)x（Ge2Sb2Te5）y，其中Sb2Se摩尔百分含量为0%＜x%≤84%，GST摩尔百分含量16%≤y%≤95%，x+y=100，具体包括以下步骤：将磁控溅射镀膜系统真空度控制为0-1.6×10-4Pa，溅射所需起辉气压为0.3Pa；然后将Sb2Se靶上的射频电源功率控制为3-13W，将GST靶上的射频电源功率控制为5-50W，溅射时间为10-60分钟，沉积得到Ge-Sb-Te-Se薄膜材料，优点是热稳定性好、数据保持能力强、相变速度快。