研磨垫及其制造方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111936268A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201980023988.4

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明提供一种经时研磨速率的稳定性高的研磨垫及其制造方法。一种研磨垫,包括具有聚氨基甲酸酯片的研磨层,其中在水浴中浸泡3天的湿润状态的所述聚氨基甲酸酯片在初始负荷148g、应变范围0.1%、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃~100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值wet)与未浸泡在水浴中的干燥状态的所述聚氨基甲酸酯片的初始负荷148g、应变范围0.1%、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的20℃~100℃的温度范围内的损耗角正切tanδ的峰值(tanδ峰值dry)之间的、利用下述式求出的tanδ峰值变化率为15%以下。tanδ峰值变化率=|tanδ峰值wet‑tanδ峰值dry|/tanδ峰值dry×100。

    研磨垫及其制造方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111212705A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201880066479.5

    申请日:2018-10-12

    Abstract: 本发明提供一种能够在维持高研磨速率的同时减少划痕的产生的研磨垫及其制造方法。所述研磨垫是具备研磨层的研磨垫,所述研磨层具有包含大致球状的气泡的聚氨酯片,在将预先暴露于温度23℃、相对湿度30%环境下的所述聚氨酯片在40℃、初始载荷148g、变形范围0.1%、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的储能模量设为E’(90%),将预先暴露于温度23℃、相对湿度30%环境下的所述聚氨酯片在40℃、初始载荷148g、变形范围0.1%、测定频率1.6Hz、拉伸模式下的储能模量设为E’(30%)时,E’(90%)/E’(30%)在0.4~0.7的范围内。

    研磨垫
    23.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206869633U

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201590000935.8

    申请日:2015-09-08

    CPC classification number: B24B29/00 B24B37/11 B24B37/24

    Abstract: 提供一种在用于镜面精加工研磨时能够得到足够的研磨精度的研磨垫。研磨垫(1)是将研磨薄膜(9)贴附在圆板形状的中心基材(7)的外周面上而成的研磨垫,其特征在于,研磨薄膜(9)利用湿式成膜法形成。根据按这种方式构成的研磨垫(1),能够得到在外周上贴附有利用湿式成膜法形成的研磨薄膜(9)的研磨垫。而且,通过使用利用湿式成膜法形成的研磨薄膜(9)进行精加工研磨,能够得到反射光的歪斜少、损伤少、且形状稳定的产品。

    研磨垫
    24.
    外观设计

    公开(公告)号:CN303894492S

    公开(公告)日:2016-10-19

    申请号:CN201630097313.3

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:研磨垫。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于研磨智能手机等电子设备,由研磨部和垫片部构成。3.本外观设计产品的设计要点:本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:设计1主视图。5.指定基本设计:设计1是基本设计。

Patent Agency Ranking