公开(公告)号：CN111684566A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980010113.0

申请日：2019-01-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭津睿 ,  梁璟梅 ,  P·P·杰哈 ,  T·阿肖克 ,  T-J·龚

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文的实施例提供使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺沉积的氮化硅层的基于自由基的处理。该FCVD沉积的氮化硅层的基于自由基的处理期望地增加层中稳定的Si-N键的数目，从该层移除不期望的氢杂质，且期望地提供所得的氮化硅层中的进一步交联、致密化、及氮化(氮的并入)。在一个实施例中，形成氮化硅层的方法包括：将基板定位在基板支撑件上，该基板支撑件设置在处理腔室的处理容积中；以及处理沉积在该基板上的氮化硅层。处理该氮化硅层包括：使第一气体的一种或多种自由基物质流动，该第一气体包括NH3、N2、H2、Ar、He、或前述气体的组合；以及将氮化硅层暴露于该自由基物质。

公开(公告)号：CN110622298A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031479.1

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN102754193A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080063586.6

申请日：2010-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成氧化硅层的方法。本方法包括以下步骤：将不含碳的含硅前驱物与氮自由基前驱物进行混合，以及在基板上沉积含硅及氮的层。通过使含氢及氮的前驱物流至等离子体中，在等离子体中形成氮自由基前驱物。在沉积含硅及氮的层之前，形成氧化硅衬垫层以改良含硅及氮的层的粘附性、平滑性及可流动性。含硅及氮的层可通过固化及退火所述膜而转化为含硅及氧的层。本方法还包括在施加旋涂式含硅材料之前形成二氧化硅衬垫层。

公开(公告)号：CN117321241A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035927.1

申请日：2022-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李文慧 ,  P·P·杰哈 ,  M·B·潘迪特 ,  M-P·蔡 ,  梁璟梅 ,  M·W·蒋

IPC: C23C16/04

Abstract: 本文公开的处理方法包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和反应物来在基板表面上形成成核层和可流动化学气相沉积(FCVD)膜。通过控制前驱物/反应物压力比、前驱物/反应物流量比、以及基板温度中的至少一者，微小缺陷的形成被最小化。控制工艺参数中的至少一个工艺参数可减少微小缺陷的数量。FCVD膜可以通过任何合适的固化工艺来固化以形成光滑的FCVD膜。

公开(公告)号：CN115244648A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018371.0

申请日：2021-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  S·S·奥哈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了在具有小尺寸的高深宽比(AR)结构中沉积膜的方法。所述方法提供可流动的沉积以用于无缝间隙填充、UV硬化以用于增加膜密度、在低温下将膜转化为氧化硅、和通过低温感应耦合等离子体(ICP)处理(

公开(公告)号：CN114144866A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080052952.1

申请日：2020-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭津睿 ,  梁璟梅 ,  P·P·杰哈 ,  L·张

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。

公开(公告)号：CN113196462A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083347.8

申请日：2019-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·J·西蒙斯 ,  M·W·蒋 ,  梁璟梅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324

Abstract: 在此描述的实施例总体上涉及在沟槽之上形成可流动低k介电层的方法，所述沟槽形成于图案化基板的表面上。所述方法包括：将含硅和碳前驱物传递至基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段；使含氧前驱物流进等离子体源的远程等离子体区域中，同时点燃远程等离子体以形成自由基氧前驱物；在经过所述第一时间段之后且于所述第二时间段期间，使所述自由基氧前驱物以第二流速流进所述基板处理区域；以及在经过所述第二时间段之后，将所述含硅和碳介电前驱物暴露至电磁辐射达第三时间段。

公开(公告)号：CN113169039A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079269.4

申请日：2019-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·J·西蒙斯 ,  B·K·安 ,  梁璟梅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311

Abstract: 本文描述的实施例提供一种通过交联末端硅烷醇基团来形成具有共价Si‑O‑Si键的含硅和氧层的方法。所述方法包括将基板定位在腔室中。所述基板具有一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽包括10纳米(nm)或更小的宽度及2:1或更大的深宽比。所述深宽比是由所述一个或多个沟槽的深度与宽度之比界定。含硅和氧层配置在所述一个或多个沟槽之上。所述含硅和氧层具有末端硅烷醇基团。将所述基板加热，并且将所述含硅和氧层暴露于遍及工艺空间分布的含氨或胺基的前驱物。

公开(公告)号：CN105575768A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510706039.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  J·C·李 ,  孙颙

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02337

Abstract: 本文公开了用于沉积和固化可流动电介质层的方法。方法可包括：形成可流动电介质层，将可流动电介质层浸入含氧气体中，净化腔室，以及利用UV辐射来固化所述层。通过在含氧气体预浸透之后固化所述层，可在UV照射期间更完全地固化所述层。