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公开(公告)号：CN117383505A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310839604.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及包括可变形结构的MEMS设备以及MEMS设备的制造方法。MEMS设备包括：半导体主体，限定主腔，并且形成锚固结构；以及第一可变形结构，沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端，第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构，以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构，沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体，以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分，第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准，其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。
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公开(公告)号：CN116643063A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310156744.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种微机械器件，包括：半导体主体；可移动结构，被配置为沿着振荡方向相对于半导体主体振荡；以及弹性组件，具有弹性常数，被耦合至可移动结构和半导体主体，并且被配置为沿着振荡方向变形，以允许可移动结构根据施加到微机械器件的加速度的振荡。可移动结构和半导体主体包括用于可移动结构的振荡的电容控制的控制结构：当控制结构在第一状态下被电控制时，微机械器件处于第一操作模式，其中微机械器件的总弹性常数具有第一值，并且当控制结构在第二状态下被电控制时，微机械器件处于第二操作模式，其中总弹性常数具有小于或等于第一值的第二值。
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公开(公告)号：CN109728791B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201811288309.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本公开涉及相对于温度变化稳定性提高的微机电谐振器系统。MEMS谐振器系统具有微机械谐振结构和电子处理电路，电子处理电路包括第一谐振回路，第一谐振回路激发结构的第一振动模式并且生成在第一谐振频率的第一信号。根据温度变化测量结果，补偿模块补偿由温度变化造成的第一谐振频率的第一变化，以生成在期望频率的时钟信号，期望频率相对于温度是稳定的。电子处理电路还包括第二谐振回路，第二谐振回路激发结构的第二振动模式并且生成在第二谐振频率的第二信号。温度感测模块接收第一和第二信号，并且根据由温度变化造成的第一谐振频率的第一变化和第二谐振频率的第二变化，生成温度变化测量结果。
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公开(公告)号：CN116165397A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211486433.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及具有改进的应力不敏感性的Z轴微机电传感器。一种微机电传感器设备具有检测结构，该检测结构包括：具有顶面的基底；悬置在基底的顶面上方并且弹性耦合到转子锚以便根据待检测量相对于基底执行惯性运动的惯性质量体；以及在相应定子锚处整体耦合到基底并且电容耦合到惯性质量体，以便响应于待检测量而生成指示待检测量的差分电容变化的定子电极。特别地，作为惯性运动，惯性质量体执行沿着正交于基底的顶面的竖直轴线的平移运动；并且定子电极以悬置方式布置在基底的顶面上方。
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公开(公告)号：CN113493186A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110295228.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113351458A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110247160.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式机械换能器。提供了一种用于制造包括位于膜元件处的压电元件的PMUT器件的方法。方法包括接收绝缘体上硅基底，具有第一硅层、氧化物层和第二硅层。通过移除第一硅层的暴露侧部分和氧化物层的对应的部分来暴露第二硅层的第一表面的部分，并且限定包括第一硅层和氧化物层的剩余部分的中心部分。用于膜元件的锚定部分在第二硅层的第一表面的暴露部分处形成。压电元件在中心部分的上方形成，并且膜元件通过选择性地移除第二层并且从第一硅层的剩余部分下方移除氧化物的剩余部分来限定。
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公开(公告)号：CN107179074B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201610877204.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5663
Abstract: 一种微机械检测结构(20)，包括：半导体材料的衬底(2)；驱动质量体布置(4a‑4c)，耦合至驱动电极集合(7a‑7c)并且在驱动电极集合的电偏置之后在驱动移动中被驱动；第一锚固单元(5a‑5c,6a‑6c)，耦合至驱动质量体布置以用于在第一锚固部(5a‑5c)处将驱动质量体布置弹性地耦合至衬底(2)；被驱动质量体布置(10,30)，通过耦合单元(22a‑22b)弹性地耦合至驱动质量体布置并且被设计为由驱动移动所驱动；以及第二锚固单元(14,34)，耦合至被驱动质量体布置以用于在第二锚固部(17,37)处将被驱动质量体布置弹性地耦合至衬底(2)。在驱动移动之后，在第一和第二锚固部处施加于衬底(2)上的力和扭矩的合量基本上为零。
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公开(公告)号：CN112583372A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011052268.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及压电微机电谐振器设备以及对应的制造过程。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。
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公开(公告)号：CN108254706B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710515501.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器。例如，一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2)，该感应结构具有：衬底(6)；外部框架(4)，该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7)，该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定；可移动结构(10)，该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P)；以及弹性安排(22，24)，该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。该可移动结构由于该第一弹性元件和该第二弹性元件以及弹性元件的该安排而执行：响应于源自第一磁场分量(Bx)的洛伦兹力的第一感应移动、响应于源自第二磁场分量(By)的洛伦兹力的第二感应移动、以及响应于源自第三磁场分量(Bz)的洛伦兹力的第三感应移动；该第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
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公开(公告)号：CN112114163A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010570953.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的实施例涉及具有高耐粘滞性的MEMS惯性传感器。一种惯性结构通过第一弹性结构弹性耦合到支撑结构，从而根据待检测量沿着感测轴线移动。惯性结构包括第一惯性质量块和第二惯性质量块，第一惯性质量块和第二惯性质量块由第二弹性结构弹性耦合在一起，以使得第二惯性质量块能够沿着感测轴线移动。第一弹性结构具有比第二弹性结构的弹性常数低的弹性常数，从而使得在存在待检测量的情况下，惯性结构在感测方向上移动，直到第一惯性质量块抵靠在停止结构为止，并且第二弹性质量还可以在感测方向上移动。一旦结束检测量，第二惯性质量块就在与感测方向相对的方向上移动，并且使第一惯性质量块从停止结构分离。
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