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公开(公告)号：CN1301947C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN02800404.3
申请日：2002-02-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C23G5/02803 , C07C17/10 , C07C17/21 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , C07C19/08
Abstract: 本发明生产全氟化碳方法的特征在于，在通过有机化合物与氟气接触生产全氟化碳的过程中，有机化合物与氟气在200-500℃温度范围内接触，同时反应体系内的氧气含量被控制在基于反应原料中气体成分的2%(体积)或更低，因而生产出降低了杂质含量的全氟化碳。根据本发明生产全氟化碳的方法，可以得到极度抑制了例如含氧化合物等杂质产生的高纯度全氟化碳。通过本发明方法获得的全氟化碳基本不合有含氧化合物，因此可以在半导体装置生产方法中有效地用作蚀刻或清洁气体。
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公开(公告)号：CN1033576C
公开(公告)日：1996-12-18
申请号：CN93109641.3
申请日：1993-08-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/087
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/206 , C07C17/21
Abstract: 从三氯乙烯和HF制备1，1，1，2-四氟乙烷的方法，此方法包括：将三氯乙烯与HF反应的产物和将1，1，1-三氟-2-氯乙烷与HF反应的产物，或单独或混合，导入第一蒸馏柱；从第一蒸馏柱的顶部回收HCl馏出液和将残余物导入第二蒸馏柱。
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公开(公告)号：CN102171138A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139487.9
申请日：2009-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J37/26 , B01J21/04 , B01J23/26 , B01J23/75 , B01J27/12 , B01J27/128 , B01J27/132 , B01J35/1019 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1061 , B01J35/108 , B01J37/0201 , C01B32/00 , C01B32/50 , C01B32/80
Abstract: 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
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公开(公告)号：CN102076644A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125272.1
申请日：2009-06-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/10 , C07C17/383 , C07C19/10
CPC classification number: C07C17/10 , C07C17/383 , C07C19/10
Abstract: 本发明的课题在于提供在工业上经济高效地制造高纯度1，2，3，4-四氯六氟丁烷的方法。本发明的1，2，3，4-四氯六氟丁烷的制造方法，其特征在于，包括下述工序：通过使1，2，3，4-四氯丁烷和氟气反应，来得到含有1，2，3，4-四氯六氟丁烷和作为杂质的含氢化合物的反应产物的工序；通过将上述反应产物导入到单个或多个蒸馏塔中进行蒸馏，来从上述反应产物中分离出上述含氢化合物，从而得到纯化了的1，2，3，4-四氯六氟丁烷的工序。其中，上述蒸馏塔的至少一个是理论塔板数为15级以上的蒸馏塔。
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公开(公告)号：CN1683923B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510070123.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中，为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内，提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法，加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101663257A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012880.7
申请日：2008-04-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的1，2，3，4-四氯六氟丁烷之类含氟化合物的制造方法的特征在于，使1，2，3，4-四氯丁烷之类卤代烃化合物在无溶剂、且无催化剂的条件下，在液相或固液共存状态下与氟气接触。本发明可以在不使用反应溶剂、反应催化剂的条件下由卤代烃化合物容易地制造含氟化合物。
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公开(公告)号：CN1315765C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510051525.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/087 , C07C17/00 , C07C17/383
CPC classification number: C07C17/21 , C07C17/206 , C07C17/38 , C07C17/389 , C07C19/08 , C07C21/12 , C07C19/12
Abstract: 使含稳定剂的四氯乙烯与具有平均孔径3.4-11埃的沸石和/或具有平均孔径3.4-11埃的含碳吸附剂在液相中接触以获得高纯四氯乙烯。将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第一种氢氟烃，将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第二种氢氟烃，将这些产品合并，然后蒸馏获得第一和第二种氢氟烃。
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公开(公告)号：CN1938249A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010627.4
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/20 , C07C17/383 , C07C19/08 , B01J23/86
Abstract: 本发明涉及一种制备高纯度1，1，1，2－四氟乙烷和/或五氟乙烷的方法，该方法是通过纯化粗产物的步骤进行的，其中粗产物是通过使三氯乙烯和/或四氯乙烯与氟化氢反应而得到的，并含有包含1，1，1，2－四氟乙烷和/或五氟乙烷的主产物、作为主产物共沸组分的氟化氢和包含至少一种不饱和化合物的杂质成分，其中所述纯化步骤包括：在气相中使通过将氟化氢新加入至所述粗产物中而得到的混合物与氟化催化剂接触以降低所述粗产物中的不饱和化合物含量的步骤，和蒸馏步骤。
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公开(公告)号：CN1268592C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01801119.5
申请日：2001-04-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/389 , C07C17/10 , C07C17/07 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/007 , C07C17/10 , C07C17/38 , C07C17/389
Abstract: 将含有乙烯化合物、烃化合物、一氧化碳和/或二氧化碳的四氟甲烷与平均孔径为3.4-11埃且Si/Al比率为1.5或更小的沸石和/或平均孔径为3.4-11埃的含碳吸附剂接触。由此可以得到有利于工业化生产且具有良好效益的高纯度四氟甲烷。
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公开(公告)号：CN1651370A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410101217.8
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200－450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1－3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150－400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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