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公开(公告)号：CN102834872B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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公开(公告)号：CN102763331B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280000601.1
申请日：2012-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 加藤佳一
IPC: H03K3/356 , G11C11/412 , H01L21/8244 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L45/00 , H01L49/00 , H03K3/037
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C11/4125 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H03K3/0375 , H03K3/356008
Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路（100）为：交叉耦合连接的反演电路（20）和反演电路（21）的输出彼此通过依次连接晶体管（6）、电阻变化元件（1）及晶体管（7）而成的串联电路连接，通过向晶体管（6）及（7）的控制端子施加电压，控制闩锁状态的存储动作以及恢复动作，将对电阻变化元件（1）的两端电位被相加而得到的量进行放大并反转后的电位返回至反演电路（20）或（21）的输入，由此恢复为能够执行电阻变化元件（1）的形成工序的逻辑状态。
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公开(公告)号：CN103052991A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001689.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102884584A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001056.8
申请日：2012-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/21 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/15 , G11C2213/71
Abstract: 一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
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公开(公告)号：CN102822901A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201280000807.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法是通过对包括电阻变化元件的存储器单元施加电压脉冲而使电阻变化元件根据所施加的电压脉冲的极性在第1电阻状态与第2电阻状态之间可逆地变化的写入方法，包括第1电阻状态化步骤，该第1电阻状态化步骤包括：在使电阻变化元件从第2电阻状态向第1电阻状态变化时，对电阻变化元件施加电压绝对值比第2电压脉冲(VL)小且极性不同于第1电压脉冲(VH)的第1电阻化预电压脉冲(VLpr)的第1步骤；以及之后施加第1电压脉冲(VH)的第2步骤。
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公开(公告)号：CN102763331A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201280000601.1
申请日：2012-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 加藤佳一
IPC: H03K3/356 , G11C11/412 , H01L21/8244 , H01L27/105 , H01L27/11 , H01L45/00 , H01L49/00 , H03K3/037
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C11/4125 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H03K3/0375 , H03K3/356008
Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路（100）为：交叉耦合连接的反演电路（20）和反演电路（21）的输出彼此通过依次连接晶体管（6）、电阻变化元件（1）及晶体管（7）而成的串联电路连接，通过向晶体管（6）及（7）的控制端子施加电压，控制闩锁状态的存储动作以及恢复动作，将对电阻变化元件（1）的两端电位被相加而得到的量进行放大并反转后的电位返回至反演电路（20）或（21）的输入，由此恢复为能够执行电阻变化元件（1）的形成工序的逻辑状态。
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公开(公告)号：CN101802921A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106382.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，非易失性存储装置(300)具有存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个以同一极性的电脉冲在多个电阻状态之间进行过渡的电阻变化型元件。将串联电阻设定器(310)设置在存储单元阵列(70)和电脉冲施加装置(50)之间，通过控制串联电阻设定器，在使所选择的电阻变化型元件从低电阻状态变化到高电阻状态时和从高电阻状态变化到低电阻状态时的至少一方，使所述串联电流路径的电阻值在规定的范围内随时间变化而变化。
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公开(公告)号：CN101636792A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008210.8
申请日：2008-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C8/08 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型存储器件。本发明的电阻变化型存储器件(10)包括：电阻变化型元件(1)，当超过第一电压时向高电阻状态变化，当超过第二电压时向低电阻状态变化；控制装置(4)；与电阻变化型元件(1)串联连接的电压限制有源元件(2)；和通过电压限制有源元件(2)与电阻变化型元件(1)串联连接的电流限制有源元件(3)，控制装置(4)，在向高电阻状态变化的情况下，对电流限制有源元件(3)进行控制使得电流和第一电阻值的积在第一电压以上，并且对电压限制有源元件(2)进行控制使得电极间电压不足第二电压，且在向低电阻状态变化的情况下，对电流有源元件(3)进行控制使得电流和第二电阻值的积的绝对值在第二电压以上且电流和第一电阻值的积的绝对值不足第一电压。
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