红外线传感器及红外线传感器阵列

    公开(公告)号:CN1898538A

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:CN200580001407.5

    申请日:2005-09-15

    CPC classification number: G01J5/24 G01J1/46 H04N5/33

    Abstract: 红外线传感器,包括:各自显示规定电容值的串联电容元件和参照电容元件,电容值根据射入元件中的红外线强度而变化的红外线检测电容元件,以及是串联电容元件的一个端子、参照电容元件的一个端子及红外线检测电容元件的一个端子相互连接起来的节点的输出节点。通过在串联电容元件的其他端子与参照电容元件的其他端子之间施加规定电压,来以输出节点的电位作为基准电位;通过在串联电容元件的其他端子与红外线检测电容元件的其他端子之间施加规定电压,来以所述输出节点的电位作为检测电位;作为基准电位与检测电位的电位差输出红外线强度。

    固体摄像器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1806335A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200580000447.8

    申请日:2005-01-07

    Abstract: 本发明提供一种固体摄像器件及其制造方法,在本发明的固体摄像器件的制造方法中,在n型半导体衬底(1)之上,淀积由氧化膜构成的衬垫绝缘膜(2)和由氮化膜构成的耐氧化性膜(3)。接着,通过形成开口(4),使半导体衬底(1)的元件隔离用区域露出来。接下来,在衬底上形成填埋开口(4)的耐氧化性膜(图中未示出),通过进行各向异性干法刻蚀形成侧壁(5)。再以耐氧化性膜(3)和侧壁(5)为掩模形成沟槽(6)。接着,对半导体衬底(1)中的在沟槽6的侧面露出的部分注入p型杂质,在半导体衬底(1)中的沟槽(6)的表面部形成热氧化膜。之后,用埋入用膜(8)填埋沟槽(6)。

Patent Agency Ranking