-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503153A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070581.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
-
公开(公告)号：CN103380490A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009476.0
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66742 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/52
Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
-
公开(公告)号：CN102656671A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080020803.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L51/102
Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(4)；第2工序，对抗蚀剂层(4)进行局部图案形成，在抗蚀剂层(4)形成多个开口；第3工序，在抗蚀剂层(4)上及抗蚀剂层(4)的多个开口的内部形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层(5)；第4工序，对由于金属层(5)的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层(6)，使用清洗液进行清洗处理由此将其除去；第5工序，在第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去抗蚀剂层(4)，由此形成由在抗蚀剂层(4)的多个开口形成的金属层构成的源电极(7)及漏电极(8)；和第6工序，覆盖源电极(7)及漏电极(8)地形成半导体层(9)。
-
公开(公告)号：CN1698204A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
-
公开(公告)号：CN1639867A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804919.8
申请日：2003-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L27/0814 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器，包括第一电极(11)及第二电极(12)、和夹持于上述第一电极(11)和第二电极(12)之间并在上述第一电极(11)及第二电极(12)之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体(14)，上述第一电极(11)及第二电极(12)的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成分，上述相变化记录体(14)由含有硫族元素的相变化材料构成。根据该非易失性存储器，就可以抑制因通电的特性恶化(即，电极和相变化记录体的不纯物相互扩散)并可以提高耐久性及可靠性。
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.037 seconds)
