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公开(公告)号：CN103534387A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013135.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0478 , H01G9/2027 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电极(100)，具备：导电体层(12)、和在上述导电体层(12)上设置的光催化剂层(13)。导电体层(12)含有金属氮化物。光催化剂层(13)由选自氮化物半导体以及氮氧化物半导体中的至少一种构成。在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
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公开(公告)号：CN102933487A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
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公开(公告)号：CN101678345B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200880012568.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 堺化学工业株式会社
CPC classification number: A61L9/18 , B01J21/063 , B01J27/135 , B01J35/004 , B01J35/1019 , B01J37/26 , C01G23/00 , C01G23/047 , C01P2002/54 , C01P2006/12
Abstract: 本发明提供可以提高分解速度的氧化钛光催化剂及其制造方法。本发明的氧化钛光催化剂至少含有锐钛矿型氧化钛和氟，其特征在于，上述氟的含量为2.5重量％～3.5重量％，且上述氟的90重量％以上与上述锐钛矿型氧化钛发生化学键合。
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公开(公告)号：CN102123792A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201080002312.6
申请日：2010-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J35/004 , B01J23/002 , B01J23/08 , B01J23/10 , B01J23/62 , B01J2523/00 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/34 , C01P2006/40 , C25B1/003 , Y02E60/364 , B01J2523/25 , B01J2523/32 , B01J2523/48 , B01J2523/375 , B01J2523/33
Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。
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公开(公告)号：CN103797057A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201380002930.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C08J11/04 , B29B17/00 , B29B17/02 , C08L101/00
CPC classification number: B29B17/02 , B29B2017/0203 , B29B2017/0279 , B29L2031/34 , C08J11/04 , C08J2325/04 , G01N21/359 , Y02P20/143 , Y02P20/582 , Y02W30/622 , Y02W30/68 , Y02W30/70
Abstract: 在本发明中，从废家电产品的破碎物中得到多种树脂材料混杂的热塑性树脂废料。使用材质识别装置，从该热塑性树脂废料中分选特定种类的热塑性树脂材料，进行干式清洗处理。然后，相对于特定种类的热塑性树脂材料，作为树脂改性剂，配合：酚类抗氧化剂和硫类抗氧化剂；金属钝化剂；热塑性弹性体；或者溴类阻燃剂和锑类阻燃助剂。由此，得到本发明的热塑性再生树脂材料。
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公开(公告)号：CN103403940A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011114.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/04119 , H01M8/04029 , H01M8/04291 , H01M8/0606 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E60/364
Abstract: 本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
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公开(公告)号：CN101910470B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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公开(公告)号：CN102575361A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046454.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M8/0606 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50 , Y02P20/135
Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
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公开(公告)号：CN101910470A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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公开(公告)号：CN101778670A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100128.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B01J35/02 , B01J27/135 , B01J33/00
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B01J27/12 , B01J27/135 , B01J33/00
Abstract: 本发明提供一种含有含氟锐钛矿型氧化钛的光催化性部件的新型保管方法，其能够抑制含有含氟锐钛矿型氧化钛的光催化性部件在保管中的氟含量的减少。本发明的保管方法是含有含氟锐钛矿型氧化钛的光催化性部件的保管方法，其包含：在相对湿度为30％以下的周围环境中进行保管。根据本发明的保管方法，例如能够抑制氟从含氟氧化钛表面脱离，且能够抑制光催化性部件在保管中的氟含量的减少。
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