-
公开(公告)号：CN101160660A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
-
公开(公告)号：CN1938781A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
-
公开(公告)号：CN1196549A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98107042.6
申请日：1998-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 通过在金属磁性膜1之间使用以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层7夹持Cr2O3层结构的磁隙材料,提供具有精度提高的磁隙6的MIG形磁头。若在非磁性氧化物层中使用硼硅酸盐玻璃等硅酸盐玻璃,则抑制磁隙材料的偏磨损。另外,至少在Tg－85℃≤T≤Tg－35℃的温度范围,在包含氧的气氛中进行接合磁心半体2的低熔点玻璃4(玻璃转变点Tg)的加热,能改善低熔点玻璃的流动性。
-
公开(公告)号：CN102667947B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180004630.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 在具有第1电极、第2电极、以及由所述第1电极和所述第2电极夹着的过渡金属氧化物层的电阻变化型非易失性存储元件处于初始状态时，在第1电极与第2电极之间施加第1形成用电压，直到发生变化为在高电阻状态与低电阻状态之间能够可逆地转变的第1动作可能状态的第1形成为止，在所述第1电极与所述第2电极之间施加第2形成用电压，直到发生变化为能够转变为与在第1形成后的所述第1动作可能状态的低电阻状态的电阻值相比电阻值更低的低电阻状态的第2动作可能状态的第2形成为止，从而进行电阻变化型非易失性存储元件的形成。
-
公开(公告)号：CN101878507B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980101172.5
申请日：2009-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 本发明提供能进行稳定动作的电阻变化元件的驱动方法以及实施该方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，将第1极性的写入电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从高向低变化；以及擦除过程，将与该第1极性不同的第2极性的擦除电压脉冲施加给电阻变化层(3)，使电阻变化层(3)的电阻状态从低向高变化；在将第1次到第N次(N大于等于1)的写入电压脉冲的电压值设为Vw1、将第(N+1)次以后的写入电压脉冲的电压值设为Vw2时，满足|Vw1|＞|Vw2|，而且，在将第1次到第M次(M大于等于1)的擦除电压脉冲的电压值设为Ve1、将第(M+1)次以后的擦除电压脉冲的电压值设为Ve2时，满足|Ve1|＞|Ve2|，第(N+1)次的上述写入过程接在第M次的擦除过程之后。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102414819A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018771.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
-
公开(公告)号：CN101779287B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880025595.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。
-
公开(公告)号：CN102119424A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
-
公开(公告)号：CN102077296A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001897.X
申请日：2010-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供可以使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件最适合的成形方法。该成形方法用来使电阻变化元件(100)进行初始化，包含：判断步骤(S35)，判断电阻变化元件(100)的电阻值是否比高电阻状态时小；施加步骤(S36)，在判断为不小时(S35中的“否”)，施加不超过下述电压的电压脉冲(S36)，该电压是在成形电压中加上成形余量而得到的；判断步骤(S35)和施加步骤(S36)对于存储器阵列(202)中的全部存储器单元进行重复(S34～S37)。
-
公开(公告)号：CN101636840B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaOx的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.048 seconds)
