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公开(公告)号：CN103339681A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006650.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 一种电阻变化元件的驱动方法，具有初始过程，其在第一次写入过程之前，通过施加第一极性的初始电压脉冲使金属氧化物层的电阻值从初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设初始状态的电阻值为R0，写入状态的电阻值为RL，消去状态的电阻值为RH，其他的电阻值为R2，设初始电压脉冲施加时的电流的最大值为IbRL，设写入电压脉冲施加时的电流的最大值为IRL，设消去电压脉冲施加时的电流的最大值为IRH，满足R0＞RH＞R2≥RL，且满足|IRL|＞|IbRL|。
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公开(公告)号：CN103314411A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280003801.2
申请日：2012-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 提供能够抑制电阻值的摆动现象的影响的非易失性存储元件的数据写入方法。包括以下步骤：第1施加步骤（S120），施加用于使非易失性存储元件（100）的电阻状态从第1状态变化为第2状态的第1电压脉冲；第2施加步骤（S121），施加极性与第1电压脉冲相同、且电压值的绝对值小于第1电压脉冲的第2电压脉冲；判定步骤（S122），判定非易失性存储元件（100）的电阻状态是否为第2状态；以及第3施加步骤（S123），在判定为非易失性存储元件（100）的电阻状态不是第2状态的情况下，施加使非易失性存储元件（100）的电阻状态从第1状态变化为第2状态的第3电压脉冲。
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公开(公告)号：CN101952893B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980106187.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供一种能够进行稳定的高速动作的电阻变化元件的驱动方法。该驱动方法是驱动具备对应于被施加的电气脉冲的极性而变迁为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化层(3)、和下部电极(2)及上部电极(4)的非易失性的电阻变化元件(10)的方法，具有：写入过程(S11及S15)，通过写入电压脉冲，使电阻变化层(3)从低电阻状态变迁为高电阻状态；擦除过程(S13)，使电阻变化层(3)从高电阻状态变迁为低电阻状态；在写入过程中，如果设制造电阻变化元件(10)后的第1次的写入(S11)时的写入电压脉冲的电压值为Vw1、设制造电阻变化元件(10)之后的第2次以后的写入时的写入电压脉冲的电压值为Vw，则对电极间施加写入电压脉冲，以满足|Vw1|＞|Vw|。
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公开(公告)号：CN102047422B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201080001662.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 具有：写入过程，将第一极性的写入电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从高向低发生变化，以成为写入状态；消除过程，将与第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从低向高发生变化，以成为消除状态；以及初始过程，在第一次的写入过程之前，将第二极性的初始电压脉冲施加到金属氧化物层(3)，从而使金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值发生变化，在金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值为R0、写入状态的电阻值为RL、消除状态的电阻值为RH、初始电压脉冲的电压值为V0、写入电压的电压值为Vw、消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下，满足R0＞RH＞RL、且满足|V0|＞|Ve|≥|Vw|。
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公开(公告)号：CN102859690A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180010408.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1226 , G11C13/0002 , G11C2213/77 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102790073A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN102648522A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080053422.5
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高木刚
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种能够实现稳定的电阻变化、并且能够实现微细化的非易失性存储元件及其制造方法。具备：第一电极（113），形成在基板上；层间绝缘层，形成在包括第一电极（113）的基板上，设有到达第一电极（113）的存储单元孔；阻挡层（115），形成在存储单元孔内，由与第一电极（113）连接的半导体层或绝缘体层构成；第二电极（116），形成在存储单元孔内，与阻挡层（115）连接；层叠构造的电阻变化层（117），形成在第二电极（116）上，电阻值基于被施加的电信号而变化；以及第三电极（118），与电阻变化层（117）连接，以覆盖存储单元孔的方式形成在层间绝缘层（114）上。
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公开(公告)号：CN102473707A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002654.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 包括：以与衬底平行，由第一导电层(13)、半导体层(17)和第二导电层(18)构成的层叠体(21)与层间绝缘膜(16)交替层叠的层叠结构；被配置为在层叠方向上贯通所述层叠结构的多个柱状电极(12)；以及，根据被施加到柱状电极(12)与第一导电层(13)之间的电信号而发生电阻值的可逆变化的电阻变化层(14)，电阻变化层(14)是第一导电层(13)的一部分被氧化而形成的。通过一个氧化工艺，在形成电阻变化层(14)的同时，形成用于使半导体层(17)、第二导电层(18)分别与柱状电极(12)电分离的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102227809A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980148165.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具备：第一电极(103)；第二电极(109)；和电阻变化层(106)，其配置在第一电极和第二电极之间，基于施加于第一电极和第二电极之间的电信号，电阻值可逆地变化；第一电极和第二电极中的至少一个具备含有铂的含铂层(107)，电阻变化层至少具备不与含铂层物理接触的第一氧不足型过渡金属氧化物层(104)和配置在第一氧不足型过渡金属氧化物层与含铂层之间的、与含铂层物理接触的第二氧不足型过渡金属氧化物层(105)，将第一氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOx、将第二氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOy时，满足x＜y，含铂层的膜厚为1nm以上23nm以下，与电阻变化层物理接触。
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公开(公告)号：CN102084429A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201080001938.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 提供用于提高写入在电阻变化型的非易失性元件的信息(电阻值)的保持特性的驱动方法。包括：第一写入工序(S01)，在电阻变化型的非易失性元件施加第一极性的第一电压，从而成为表示第一逻辑信息的低电阻状态；第二写入工序(S02)，施加与所述第一极性不同的第二极性的第二电压，从而成为第一高电阻状态；以及回写工序(S05)，在第二写入工序(S02)之后，施加第一极性的第三电压，从而成为表示与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息的第二高电阻状态。在此，第三电压的绝对值比第一电压小，第一高电阻状态的电阻值、第二高电阻状态的电阻值、以及低电阻状态的电阻值，按照其顺序大。
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