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公开(公告)号：CN117678345A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280049793.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , H10K59/121 , H01L29/786 , G09G3/3233
Abstract: 提供一种制造成品率高的半导体装置。一种包括多个子像素的半导体装置。子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容元件至第三电容元件、第一绝缘层及布线。第一电容元件至第三电容元件分别包括第一导电层、第二导电层及第一导电层与第二导电层夹持的第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一晶体管及第二晶体管上。第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线都设置在第一绝缘层上。在俯视时，相对于子像素的面积的第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线的总面积的比率为百分之15以上。第二电容元件的第一导电层的面积及第三电容元件的第一导电层的面积都为第一电容元件的第一导电层的面积的2倍以上。
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公开(公告)号：CN116097274A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180050124.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的结构的半导体装置。该半导体装置包括数字运算器、模拟运算器、第一存储电路、第二存储电路，其中，模拟运算器、第一存储电路及第二存储电路分别包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，第一存储电路具有将第一权重数据作为数字数据供应到数字运算器的功能，数字运算器具有使用第一权重数据进行积和运算的功能，第二存储电路具有将第二权重数据作为模拟数据供应到模拟运算器的功能，模拟运算器具有使用第二权重数据进行积和运算的功能，在模拟运算器及第二存储电路所包括的在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管中的至少一个中，源极‑漏极间流过的电流量为在该晶体管在亚阈值区域工作时流过的电流量。
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公开(公告)号：CN109565280B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201780049603.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , G06F1/3296 , G11C11/412 , G06F1/3293 , G06F1/3234 , G06F1/3287 , G06F13/42 , G11C11/40 , G06F1/3228
Abstract: 提供一种包括即使在关闭状态中也可以保持数据的CPU及PLD的半导体装置的电源控制方法。该半导体装置包括处理器、可编程逻辑装置以及状态控制电路。可编程逻辑装置包括第一非易失性存储电路，并具有在关闭时可以保持通过可编程逻辑装置的运算处理得到的数据的功能。状态控制电路得到根据处理器的指令由可编程逻辑装置进行的任务量的数据。可编程逻辑装置检测任务的进展状态并对状态控制电路输出信号。状态控制电路监视任务量和任务的进展状态并在任务结束时使可编程逻辑装置关闭。
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公开(公告)号：CN115152021A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180015110.3
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/1156 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , G06F12/00 , G06F17/10 , G11C11/405
Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括多个存储电路、切换电路及运算电路。多个存储电路分别具有保持权重数据的功能以及向第一布线输出权重数据的功能。切换电路具有切换多个第一布线的任一个与第二布线的导通状态的功能。运算电路具有利用输入数据和供应到第二布线的权重数据进行运算处理的功能。存储电路设置在包括第一晶体管的第一层。切换电路及运算电路设置在包括第二晶体管的第二层。第一层是与第二层不同的层。
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公开(公告)号：CN114641818A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080076076.6
申请日：2020-10-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/3225 , G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1362 , H01L27/32
Abstract: 提供一种能够显示高分辨率的图像的显示装置。在该显示装置中层叠第一层及第二层。在第一层中设置运算电路及数据驱动电路，在第二层中设置显示部。在运算电路中构成神经网络。显示部具有与数据驱动电路重叠的区域。运算电路具有如下功能：对图像数据进行使用神经网络的运算处理，将运算处理了的图像数据供应给数据驱动电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475493A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076441.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G09G3/20 , G09G3/30 , G09G3/36 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786 , H04N19/61
CPC classification number: G09G3/2096 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2330/021 , G09G2340/02 , G09G2350/00 , G09G2360/12 , G09G2370/08 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种功耗小的半导体装置。该半导体装置包括译码器、信号生成电路及显示装置。上述译码器包括解析电路及运算电路。上述解析电路具有利用所接收的数据判定是否进行所接收的第一图像数据的译码的功能。上述信号生成电路具有根据上述解析电路的判定而生成包括有关是否进行上述第一图像数据的译码的指令的信号的功能。上述运算电路具有根据上述信号进行上述第一图像数据的译码的功能。上述显示装置具有在上述运算电路中不进行上述第一图像数据的译码的情况下保持显示在上述显示装置上的第二图像的功能。
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公开(公告)号：CN108062939A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711108401.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 冈本佑树
IPC: G09G5/10
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/3607 , G09G2300/046 , G09G2320/066 , G09G2360/144 , G09G5/10 , G09G2320/0626
Abstract: 本发明提供一种可见度高的显示装置的工作方法。本发明是一种电子设备，包括第一显示元件、第二显示元件、光传感器及增益计算电路，其中通过光传感器取得外光的照度，根据该照度进行使用第一显示元件及第二显示元件显示的图像的校正。增益计算电路取得该照度，算出对应于该照度的增益值。尤其是，该增益值按第一显示元件及第二显示元件的每一个算出。增益计算电路通过使用第一显示元件及第二显示元件显示的图像数据乘以该增益值或对应于该增益值的值，进行该图像数据的调光校正、调色校正。
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公开(公告)号：CN111727501B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980014002.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C11/4097 , H10D30/67
Abstract: 提供一种新颖的存储装置。具有多个存储单元的第一单元阵列和具有多个存储单元的第二单元阵列设置为彼此重叠。包括在第一位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。包括在第二位线对中的两个位线分别与包括在第一单元阵列中的部分存储单元及包括在第二单元阵列中的部分存储单元电连接。在第一单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之一具有与部分第一位线对重叠的区域，在第二单元阵列中，包括在第二位线对中的两个位线之另一具有与部分第一位线对重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119343722A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046214.X
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。第一电路通过第一布线与第二电路电连接，第一电路通过第三布线及第四布线与第四电路电连接，第二电路通过第五布线与第三电路电连接，第一电路具有使第一布线、第二布线、第三布线与第四布线的彼此之间处于导通状态或非导通状态的功能，第三电路具有保持对应于第一数据的电位的功能，第二电路具有将对应于第一数据的电位从第一布线供应到第五布线的功能、保持对应于第二数据的电位的功能以及放大第五布线的电位的变化而将其输出到第一布线的功能，第四电路具有根据第三布线与第四布线之间的电位差输出对应于第一数据或第二数据的电位的功能。
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公开(公告)号：CN118891737A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380028618.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括金属氧化物、金属氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体、在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体以及具有与第四导电体重叠的区域的第五导电体。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
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