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公开(公告)号：CN105914236A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610232781.6
申请日：2010-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/67
Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
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公开(公告)号：CN101894759B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010146957.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/471 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。
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公开(公告)号：CN103339715A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066610.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN103227293A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310119691.2
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN102593366A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022165.X
申请日：2004-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460713A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080028690.1
申请日：2010-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02664 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
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公开(公告)号：CN102349158A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011089.1
申请日：2010-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C01G15/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/66969 , C01G15/006 , C01G45/006 , C01G49/009 , C01G51/006 , C01G53/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02183 , H01L21/02266 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是设置一种包括具有满意特性的半导体元件的半导体器件。本发明的制造方法包括步骤：在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；形成电连接到半导体层的第二导电层；形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；形成电连接到第二导电层的第三导电层；在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。
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公开(公告)号：CN104658915B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510086663.4
申请日：2010-05-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L21/473 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/02565 , H01L21/30604 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。
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公开(公告)号：CN103227293B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310119691.2
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52 , H01L27/32 , G09G3/3291
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN103151266B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310055161.6
申请日：2010-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/133302 , G02F2001/133531 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L21/02107 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02672 , H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供具有稳定电特性的使用氧化物半导体的半导体器件。氧化物半导体层经受在氮气体或者诸如稀有气体(例如氩或氦)之类的惰性气体气氛中或者在降低的压力下的用于脱水或脱氢处理的热处理以及经受在氧的气氛、氧和氮的气氛或者空气(露点优选地低于或等于40C，更优选地低于或等于50C)气氛中的用于提供氧的处理的冷却步骤。因此，氧化物半导体层经过高度纯化，由此形成i型氧化物半导体层。制造包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体器件。
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