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公开(公告)号：CN103500700B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310357304.9
申请日：2009-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/60 , H01L27/13 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。
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公开(公告)号：CN102214699A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110140080.7
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L27/12 , H01L23/52 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 显示装置的制造方法当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
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公开(公告)号：CN101114611B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710137128.2
申请日：2007-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除光吸收层的照射区及绝缘层的照射区以在光吸收层及绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
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公开(公告)号：CN102057488A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980120672.3
申请日：2009-05-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L21/822 , H01L25/00 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/60 , H01L27/13 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。
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公开(公告)号：CN100570834C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510106745.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1277 , H01L27/1292 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/0005 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02P80/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533746C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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公开(公告)号：CN101114611A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710137128.2
申请日：2007-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除光吸收层的照射区及绝缘层的照射区以在光吸收层及绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
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公开(公告)号：CN101101872A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127144.3
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。
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公开(公告)号：CN1767159A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510106745.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1277 , H01L27/1292 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/0005 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02P80/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。
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公开(公告)号：CN1677645A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510051846.9
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明公开了在一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤，利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，利用激光束对其进行照射使第一薄膜图案曝光，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘，而形成源极和漏极，并在源极和漏极上，形成半导体层，栅绝缘层，和栅极。
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