公开(公告)号：CN103500700A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310357304.9

申请日：2009-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  小路博信 ,  江口晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/60 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。

公开(公告)号：CN102214699B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110140080.7

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  川俣郁子

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 显示装置的制造方法，当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。

公开(公告)号：CN101114612A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710137129.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  大石洋正

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除绝缘层的照射区以在绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。

公开(公告)号：CN1581439A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055682.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  下村明久 ,  古山将树

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒。本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。

公开(公告)号：CN102037556B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN200980118810.4

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  及川欣聪 ,  小路博信 ,  盐野入丰 ,  加藤清 ,  中田昌孝

IPC: H01L21/822 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07735 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00

Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。

公开(公告)号：CN102522372B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110431108.2

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN101663733B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880012749.0

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  小路博信 ,  大沼英人 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的一个目的是提供即使使用像玻璃衬底或塑料衬底那样的柔性衬底，也可以高产率地制造可以用在实际应用中的含有SOI层的SOI衬底的方法。并且，本发明的另一个目的是提供使用这样的SOI衬底高产率地制造薄半导体器件的方法。当将单晶半导体衬底与含有绝缘表面的柔性衬底结合和分离单晶半导体衬底以制造SOI衬底时，激活结合表面之一或两者，然后将含有绝缘表面的柔性衬底和单晶半导体衬底相互附接在一起。

公开(公告)号：CN101114612B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710137129.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  大石洋正

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除绝缘层的照射区以在绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。

公开(公告)号：CN102037556A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118810.4

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  及川欣聪 ,  小路博信 ,  盐野入丰 ,  加藤清 ,  中田昌孝

IPC: H01L21/822 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07735 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00

Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。

公开(公告)号：CN1998086A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580003172.3

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供用于以容易的工艺制造具有膜图案如绝缘膜、半导体膜或导电膜的衬底的方法，且进一步地，提供具有高生产量或者以低成本生产的半导体器件和电视机及其制造方法。本发明的一个特征在于通过微滴泄放方法形成第一膜图案，将光敏材料泄放或涂敷到第一膜图案上，通过用激光束照射第一膜图案和光敏材料交叠的区域并通过显影来形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有希望形状的第二膜图案。